掺杂ZnO超快闪烁体单晶研究进展

近几年,由于在惯性约束聚变诊断,核反应机理和时间飞行正电子发射断层扫描（TOF-PET）等多个重要领域具有潜在的应用,ZnO基超快（衰减时间小于1ns）闪烁体受到广泛关注。文章综述了ZnO基单晶闪烁体的发展。有文献报道,Ga³⁺、In³⁺、Sc³⁺和Fe³⁺等几种不同的n型掺杂ZnO单晶体已经被广泛用作极紫外、X-射线、α粒子等重离子的检测和成像。随着晶体生长技术的发展,提高了ZnO基闪烁体的性能,进而拓宽了其应用范围。上述ZnO材料促进了新一类超快半导体闪烁体的兴起。因此,ZnO基闪烁体的下一步的工作,主要是通过优化浓度和掺杂剂的种类,以提高光输出。     

水热法生长宽禁带氧化锌单晶研究进展

罗列了第三代半导体材料宽禁带氧化锌材料的发展历史与应用前景,总结了ZnO的结构性能、应用方向和制备方法,介绍了宽禁带氧化锌半导体晶体相对于氮化镓材料具有的显著优势:即具有更大的激子结合能(60meV),更低的激射阀值,有望实现室温下高效低阈值的紫外激光。氧化锌相比已获得巨大成功的氮化镓来说其原材料成本极低,环境友好,合成技术门槛低。目前氧化锌半导体材料的研究难点和热点还集中在p型掺杂材料和器件的研发方面。氧化锌优良的物理特性使其成为新一代主流宽带隙半导体材料,生长大尺寸高结晶质量的ZnO单晶对基础研究还是实际应用都有重要意义,文章还着重介绍了水热法合成氧化锌宽禁带半导体单晶的方法和技术优势,展示了我单位在水热法氧化锌单晶合成方面的最新研究进展。     

KTP晶体的水热法生长与形貌研究

以K2HPO4、KH2PO4、H2O2的混合水溶液为矿化剂,以熔盐法生长的KTP为培养料,采用水热法,生长出了尺寸为24mm×14mm×60mm(a×b×c)磷酸钛氧钾(KTP)晶体。分析了水热条件下KTP晶体的形貌和结晶习性,并对(100)面上出现高指数面的原因进行了研究。     

KTP晶体的水热法生长与形貌研究

以K2HPO4、KH2PO4、H2O2的混合水溶液为矿化剂,以熔盐法生长的KTP为培养料,采用水热法,生长出了尺寸为24mm×14mm×60mm(a×b×c)磷酸钛氧钾(KTP)晶体.分析了水热条件下KTP晶体的形貌和结晶习性,并对(100)面上出现高指数面的原因进行了研究.     

KTiOAsO_4晶体的水热法生长

文章报道了水热法生长KTiOAsO4晶体的结果,结果表明,以KH2AsO4和TiO2为培养原料,2mol/L KF为矿化剂,生长出了尺寸可达19×20×12mm3（a×b×c）的KTA晶体,晶体沿（011）方向的生长速度为0.10mm/d,晶体的透过率测试结果表明：晶体在450nm~2500nm波段内透过率60%以上。     

氧化锌晶体的水热法生长及其性能研究

报道了采用水热法生长大尺寸氧化锌单晶体的研究结果。以块状氧化锌陶瓷为培养料,以KOH、L iOH和H2O2的混合水溶液为矿化剂,在温度为350℃~400℃、压力为120M Pa的条件下,生长出了尺寸为31.5mm×23.5mm×6.5mm的ZnO晶体。测量了晶体的杂质含量、光吸收率和双晶摇摆曲线。     

Nb：KTP晶体的水热法生长研究

文章研究了水热法Nb：KTP晶体的生长习性以及矿化剂体系、籽晶片的取向、矿化剂溶液的填充度对水热法生长Nb：KTP晶体的影响。在上述研究的基础上,采用水热法生长出了尺寸达28.2×24.2×9.8mm^3无色透明的Nb：KTP晶体。     

Nb:KTP晶体的水热法生长研究

文章研究了水热法Nb:KTP晶体的生长习性以及矿化剂体系、籽晶片的取向、矿化剂溶液的填充度对水热法生长Nb:KTP晶体的影响。在上述研究的基础上,采用水热法生长出了尺寸达28.2×24.2×9.8mm3无色透明的Nb:KTP晶体。     

氧化锌晶体的水热法生长及其性能研究

报道了采用水热法生长大尺寸氧化锌单晶体的研究结果.以块状氧化锌陶瓷为培养料,以KOH、LiOH和H2O2的混合水溶液为矿化剂,在温度为350℃～400℃、压力为120MPa的条件下,生长出了尺寸为31.5mm×23.5mm×6.5mm的ZnO晶体.测量了晶体的杂质含量、光吸收率和双晶摇摆曲线.