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集成差分式PH—ISFET的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文扼要地叙述了集成差分式氢离子敏感器的原理、制备和特性。由于具有温度补偿作用的M OSFET 与ISFET 集成在同一芯片上,显著地降低了共模噪声和温度的影响,并保持了良好的灵敏度、线性和选择性等性能指标。 相似文献
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离子敏场效应器件的界面电势 总被引:2,自引:0,他引:2
本文将氧化物的表面基模型同离子敏场效应器件的运用条件结合起来,进行了综合的理论与实验分析,证实了绝缘层表面同溶液间的界面行为对器件的敏感特性的影响起了主导作用,同时也不能忽略半导体材料与绝缘层之间界面行为的影响。 相似文献
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本工作利用一台不作任何较大改动的CAMECA-IMS-3f扇形磁铁型二次离子质谱仪对传统的离子散射谱(ISS)分析技术进行了适当的变通,并对二次离子质谱分析(SIMS)的深度剖析谱进行了浓度定标。在保留SIMS分析高灵敏度、高深度分辨率的前提下,实现了对块体样品中的掺杂元素的SIMS定量深度剖析。通过与离子注入机标称的注入剂量及卢瑟福背散射的定量分析结果相比较,本方法的定量准确度一般好于10%。而 相似文献
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本工作利用一台不作任何较大改动的CAMECA-IMS-3f扇形磁铁型二次离子质谱仪对传统的离子散射谱(ISS)分析技术进行了适当的变通,并对二次离子质谱分析(SIMS)的深度剖析谱进行了浓度定标。在保留SIMS分析高灵敏度、高深度分辨率的前提下,实现了对块体样品中的掺杂元素的SIMS定量深度剖析。通过与离子注入机标称的注入剂量及卢瑟福背散射的定量分析结果相比较,本方法的定量准确度一般好于10%。而精确度则好于5%。本文对该方法的背景、基本原理、实验方法,准确度及优缺点等进行了较详细的讨论。 相似文献
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