首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   50篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
电工技术   1篇
综合类   5篇
化学工业   5篇
金属工艺   4篇
无线电   13篇
一般工业技术   18篇
冶金工业   6篇
  2015年   2篇
  2014年   1篇
  2013年   5篇
  2012年   1篇
  2011年   2篇
  2009年   1篇
  2008年   4篇
  2007年   5篇
  2006年   5篇
  2005年   11篇
  2004年   8篇
  2003年   4篇
  2002年   2篇
  2001年   1篇
排序方式: 共有52条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
Eu^3+:LiNbO3Eu单晶的坩埚下降法生长及其光谱性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
选用合适的温度梯度(20~30℃/cm)与生长速度(1~3mm/h),用坩埚下降法成功地生长出了掺杂Eu^3 的LiNbO3单晶。用X射线衍射及DTA分析表征了获得的晶体。生长的晶体无宏观缺陷,在He-Ne激光的照射下,无散射中心。测定了从生长初期下部到生长后期上部晶体的紫外一可见吸收光谱与荧光光谱。观测到分裂的光谱线。结果表明,沿着晶体生长方向,Eu抖浓度逐步减少。Eu抖离子在晶体中取代Li与Nb格位。  相似文献   
2.
杨斌  王倩  张约品  夏海平 《功能材料》2015,(6):6091-6094,6101
用高温熔融法制备了Dy3+/Tb3+掺杂的高钆镥氟氧化物闪烁玻璃样品,测试分析了其吸收光谱、激发与发射光谱及衰减曲线等。研究了Dy3+和Tb3+离子浓度增加对Tb3+离子发光的影响以及Dy3+离子的浓度猝灭效应;通过IH理论模型分析了Dy3+和Tb3+离子的能量传递方式和能量传递效率。结果表明Dy3+离子对Tb3+离子发光具有敏化作用,随着Dy3+离子浓度增加敏化作用增强,但是当Dy3+离子的浓度达到2%(摩尔分数)以上时,随着Dy3+离子浓度的增加,Tb3+离子的发光强度降低;Dy3+和Tb3+离子的能量传递方式为无辐射能量传递方式,且能量传递效率可以达到60%以上。  相似文献   
3.
分别使用氯化锗和正锗酸乙脂为溶胶-凝胶先驱体,用2种不同的操作步骤制备溶胶,采用旋转涂膜技术在单晶硅片和玻璃基片上制备了硫化锗薄膜。对所获得的样品进行了X射线衍射、远红外和Raman光谱测试,并用扫描电镜观察薄膜形貌。结果表明:采用不同先驱体制备的溶胶-凝胶硫化锗玻璃薄膜其玻璃结构具有差异,并导致薄膜折射率的不同;由GeCl4所得玻璃薄膜为富锗相,其折射率约为2、8;而由Ge(OC2H5)4所得玻璃薄膜为富硫相,折射率约为2.2。  相似文献   
4.
对GdFeco/AIN/DyFeco静磁耦合多层薄膜变温磁化方向变化进行了研究。结果表明读出层GdFeCo随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化,转变过程中受饱和磁化强度(M)和有效各向异性常数影响,但主要受饱和磁化强度(M)的影响。在高温时读出层的磁化强度很小,退磁场能减小,在静磁耦合作用下,使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变,而且磁化方向的转变在较小的温度范围内变化较快。  相似文献   
5.
The lithiumniobate single crystal (LiNbO3,LN)is one of the most i mportant materials because of itsexcellent properties such as piezoelectricity , photo-electricity, photorefractivity , and a nonlinear opticaleffect .It has been widely used for functional applica-tions such as , in the surface acoustic wave device(SAW) ,the piezoelectric transducer (PET) ,the op-tic parameter oscillator ( OPO) , the high-resolutionholographic storage and so on[1]. The Er3 +dopedLiNbO3crystals have also …  相似文献   
6.
张嗣春  夏海平  王金浩  张约品 《功能材料》2007,38(11):1793-1795,1799
以K2O为助熔剂,在较大的温度梯度(90~100℃/cm)条件下进行引种和晶体生长,应用坩埚下降法技术成功地生长出了初始Mn2 掺杂浓度为0.5%(摩尔分数)的近化学计量比的铌酸锂晶体.用X射线衍射表征了获得的晶体,并计算了晶体的结构参数.与同成分的铌酸锂晶体相比,样品的晶格常数略变小,紫外吸收边向短波方向发生了移动.测定了晶体的吸收与发射光谱,观测到吸收中心在571nm(6A1g(6S)→4T1g(4G))的吸收宽带以及发光中心约620nm(4T1g(4G)→6A1g(6S))的红色荧光带.从晶体上部与下部的颜色以及吸收强度的变化,可初步推测出沿着晶体生长方向Mn2 离子浓度逐渐增加,Mn2 离子在晶体中有效的分凝系数<1.  相似文献   
7.
微晶玻璃的制备与光谱特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
高温熔制摩尔组分为32CaO-12Y2O3-24Al2O3-31SiO2-1Yb2O3的玻璃, 制得的玻璃于950、1050、1100℃三个不同温度进行热处理, 用XRD分析热处理后样品的相变, 用TEM观察1050℃热处理后的样品, 并研究了1050℃热处理前后样品的光谱特性. 研究结果表明: 玻璃在1050℃热处理后, 在玻璃中产生单一YAG相微晶颗粒; 热处理前后样品光谱特性的变化表明热处理后掺杂的Yb 3+离子择优进入到YAG晶格位, 制备得到了透明Yb:YAG微晶玻璃.  相似文献   
8.
Lithium lutetium fluoride (LiLuF4) single crystals doped with different Dy3+ ion concentrations were grown by Bridgman method. The Judd-Ofelt (J-O) strength parameters (Ω2, Ω4, Ω6) of Dy3+ in LiLuF4 crystal are calculated according to the measured absorption spectra and the J-O theory, by which the asymmetry of the Dy3+:LiLuF4 single crystal and the possibility of attaining stimulated emission from 4F9/2 level are analyzed. The capability of the Dy3+:LiLuF4 crystal in generating white light by simultaneous blue and yellow emissions under excitation with ultra- violet light is produced. The effects of excitation wavelength and doping concentration on chromaticity coordinates and photoluminescence intensity are also investigated. Favorable CIE coordinates, x=0.319 3 and y=0.349 3, can be obtained for Dy3+ ion in 2.701% molar doping concentration under excitation of 350 nm.  相似文献   
9.
Co2+,Zn2+双掺杂铌酸锂晶体的坩埚下降法生长及其光谱特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
在LiNbO3中掺入0.1%(摩尔分数.下同)的CoO与3%,6%的ZnO,采用坩埚下降法技术生长了双掺杂的Co^2+:Zn^2+:LiNbO3晶体。用X射线衍射与差热分析表征了获得的晶体。测定了晶体不同部位在350~2500nm波段的吸收光谱。研究表明:Co离子位于LiNbO3晶体的崎变的氧八面体中,呈现+2价,沿着生长方向Co^2+在晶体中的浓度逐渐减少。ZnO的掺杂有效地抑制了Co^2+离子在晶体中的掺入,使得Co^2+在晶体中浓度的分布变得均匀。同时发现:ZnO的掺入使得上部晶体的熔点升高。从化学组分的角度解释了产生熔点变化的原因。观测到了750nm波长的荧光发射带。[编者按]  相似文献   
10.
Sol-gel法制备(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用柠檬酸络合物型溶胶 凝胶法首次制备得到了具有垂直各向异性的(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜,并对材料结构和磁光性质进行了研究,结果得到石榴石磁光记录薄膜磁滞回线具有较好的矩形比,在430nm和520nm的品质因子为2°和1.5°,最佳晶化温度为675℃。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号