α－Si3N4晶须、晶柱与生长温度关系的研究

本文采用无定形氮化硅超细粉制备α-Si₃N₄晶须和晶柱,并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明:晶须生长时能否得到完整的晶体,与其生长温度有关,只有某一温度范围(1430℃±30℃)生长时,才能得到比较完整的晶体,晶须的生长温度太高或太低均会引起晶体生长的不完整性,晶须中会出现大量的缺陷,温度继续升高时,在晶须中又出现了晶粒,继而生长成晶柱。     

α－Si_3N_4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究

本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，晶须生长温度为１４００～１４５０℃，恒温１～４ｈ。讨论了在晶须生长过程中，不同的保护气氛对晶须质量的影响。当晶须在高纯Ｎ２气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３２％～３４％，氧含量为８％～６％，氯含量为０．１％左右。这类晶须中存在着大量的缺陷。当晶须在ＮＨ３气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３９％左右，氧含量为１％，氯含量为０．０１％，在这类晶须的透射电镜照片中几乎看不到缺陷。     

铝材化学铣切槽液成分的分析方法（1）

指出国内原了铝材化铣槽液成分分析产生偏差的主要原因是分析工艺落后。提出了用自动电位滴定替代手工滴定分析。介绍了分析操作的订工艺。讨论了一般化铣与精密化铣的滴定曲线特征与氢氧化钠成分计算方法。     

铝材化学铣切槽液成分的分析方法（2）

由一般化铣向精密化铣发展时，各种添加剂加入化铣液中，特别是Ｎａ２Ｓ加入，使原有的铝总量分析工艺受到严重干扰，提出化铣液分析前预处理工艺，可很好解决分析中的难点，提高了分析的准确性。     

α-Si3N4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究

本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α-Si₃N₄晶须,晶须生长温度为1400～1450℃,恒温1～4h.讨论了在晶须生长过程中,不同的保护气氛对晶须质量的影响.当晶须在高纯N2气氛中生长时,得到的晶须中氮含量为32%～34%,氧含量为8%～6%,氯含量为0.1%左右.这类晶须中存在着大量的缺陷.当晶须在NH3气氛中生长时,得到的晶须中氮含量为39%左右,氧含量为1%,氯含量为0.01%,在这类晶须的透射电镜照片中几乎看不到缺陷.     

氮化硅超细粉原位生长“无缺陷”α－氮化硅晶须

研究了用加压氮化法（ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｐｒｅｓｓｕｒｅｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ，简称ＩＰＮ法）制备高活性、高纯度的氮化硅超细粉。用这种超细粉在一定温度范围内原位生长出“无缺陷”的α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须，其截面直径×长的尺寸分别为（０．１～０．３μｍ）×（１０～３０μｍ）；（０．０２～０．０８μｍ）×（５０～１００μｍ）。在氮化硅基体中加入“无缺陷”α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须后，材料的断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）达１０．５±０．９ＭＰａ·ｍ￣（１／２）；室温强度σ＿（ｆＲＴ）达９２７±２９ＭＰａ；１３００℃时强度σｆ＿（１３００℃）达５５６Ｍｐａ。     

α－Si_3N_4晶须、晶柱与生长温度关系的研究

本文采用无定形氮化硅超细粉制备α－Ｓｉ_３Ｎ_４晶须和晶柱，并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明：晶须生长时能否得到完整的晶体，与其生长温度有关，只有某一温度范围（１４３０℃±３０℃）生长时，才能得到比较完整的晶体，晶须的生长温度太高或太低均会引起晶体生长的不完整性，晶须中会出现大量的缺陷，温度继续升高时，在晶须中又出现了晶粒，继而生长成晶柱。