非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管关键工艺研究

为优化金属氧化物薄膜晶体管（ IGZO-TFT）的特性,采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层,制备出具有刻蚀阻挡层（ Etch stop layer ,ESL）结构的IGZO TFT,在2．5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O2浓度、IGZO沉积后N2 O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N2 O／SiH4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压（ Vth ）的影响。实验结果表明：IGZO沉积过程中O2浓度的增加、IGZO沉积后N2 O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的Vth正偏移。     

白色光阻材料在OGS工艺中的应用

分析了白色光阻材料在不同温度、不同厚度和不同化学品浸泡下色度值、分辨率和附着力的变化情况。验证了白色光阻材料在OGS(One glass solution)触摸屏生产中的工艺条件。首先,关注白色光阻材料的光密度值(OD值)、分辨率、耐化性、耐高温性能以及在不同厚度下白色光阻材料的色度变化。然后对白色光阻材料和触摸屏制作工艺进行工艺整合,提出了采用白色光阻加黑矩阵的双层结构,可以保证白色光阻材料的OD值,防止后面的金属线被透视出来,其中白色光阻的厚度控制在15 μm,黑矩阵的厚度在1.2 μm。在后续的Photo工艺时,调整工艺参数,加大了PR的厚度并加大曝光显影时间,成功解决了这种高段差造成的金属线Open和Remain问题,并采用OGS工艺制作了白色光阻触摸屏样品。     

量子点发光在显示器件中的应用

介绍了量子点材料的发光原理、基本结构,以及量子点LED的特性、制备方法以及其在显示领域的最新进展。量子点LED由于具有发光纯度高、使用寿命长、可由溶液法制备等独特的优点,越来越受到人们的重视,成为显示领域新的研究热点。     

利用染料掺杂双频率液晶胶体材料制备反射式直视显示器

利用染料掺杂双频率液晶胶体材料制备了一种对比度高、响应速度快且无需偏光片的反射式显示器。器件的高对比度是由于聚合物胶体材料对光的散射和黑色染料分子对光的吸收。对双频率液晶材料进行频率调制使得器件产生较快的响应速度。     

在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究

实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩膜下2.5μm等间隔线的光强分布。根据设备参数模拟分析离焦量为15、30μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后,实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角。实验结果表明:相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍,并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中,从而增加细线化的稳定性。使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力。     

相移掩膜应用于显示技术光刻细线化的初步研究

对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,两种相位移掩膜和传统掩膜下4μm/2μm等间隔线的光强分布。并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图。实验结果表明:自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势。自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用。