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目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出. 相似文献
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为了进一步改进TGS晶体的性能,从结晶化学的观点考虑,选取了三元酸-磷酸或砷酸取代TGS中硫酸的研究,取得了较好的结果。为了防止退极化,又掺入少量L-丙氨酸,就形成了新的改性TGS类晶体-ATGSP和ATGSAs。测试证明,新晶体具有良好的热释电性能。 相似文献
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制备了TGS-PVDF铁电复合材料,测量了该材料的介电常数、介质损耗和热释电系数,计算了该材料的热释电优值因子,并初步测试了由该材料制成的热释电探测器的性能。 相似文献
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热释电红外探测器件的电压响应优值M正比于热释电系数与介电常数的比值。对于介电常数各向异性比较大的热释电材料,有可能采用偏离热释电轴的斜切方式来提高M值。本文对掺有L-α丙氨酸和磷酸的TGS晶体(简称ATGSP)进行了理论分析和实验研究,给出了M与斜切角度的表达式和最佳斜切角度θ_(op)与介电常数各向异性比值的依赖关系;测 相似文献