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研究不同时间氢等离子体处理(HPT)氢化非晶硅a-Si:H(i)钝化层对高效晶硅异质结太阳电池(效率>23%)性能的影响。发现适当时间的HPT可改善钝化效果提升电池性能,但过长时间的HPT可导致薄膜钝化效果变差,有效少数载流子寿命降低。分析认为HPT时间过长,H原子进入到a-Si:H(i)薄膜层中,导致薄膜内部SiH2增多,微结构因子(R)增大,薄膜质量变差。并且,适当时间的HPT改善太阳电池性能的幅度有限,而过长时间的HPT导致电池性能下降却很明显。因此,针对高效率的晶硅异质结太阳电池,应对钝化层沉积之后的HPT工艺进行谨慎控制。 相似文献
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In order to investigate the effects of a back surface field(BSF) on the performance of a p-doped amorphous silicon(p-a-Si:H)/n-doped crystalline silicon(n-c-Si) solar cell,a heterojunction solar cell with a p-a-Si:H/n-c-Si/n^+-a-Si:H structure was designed.An n^+-a-Si:H film was deposited on the back of an n-c-Si wafer as the BSF.The photovoltaic performance of p-a-Si:H/n-c-Si/n^+-a-Si:H solar cells were simulated.It was shown that the BSF of the p-a-Si:H/n-c-Si/n^+-a-Si:H solar cells could effectively inhibit the decrease of the cell performance caused by interface states. 相似文献
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通过紫外-可见透射谱技术,计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值,研究了a-si:H薄膜的厚度均匀性;通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析,研究了a-Si:H薄膜的结构均匀性.研究发现对于单磁场线圈MWECR CVD系统,ECR区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀,是影响a-Si:H薄膜均匀性的主要原因.通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法,采用HW-MWECR CVD 系统,在直径为6cm的衬底上沉积了厚度不均匀性<3.5%的a-Si:H薄膜. 相似文献
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