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1.
2.
基于TMS320F2812DSP的调试监控软件实现 总被引:2,自引:2,他引:0
为了方便高效地使用高级语言开发适用于TMS320F2812DSP芯片的程序,需要构建一个使用简单、功能完善的调试监控系统。在对该款芯片所能加载和运行的COFF文件行号表和符号表进行了深入解析的基础上,重点阐述了高级语言编程中程序断点和全局变量监控两项功能的实现过程,为该款芯片成功构建了高级语言调试监控系统的软件部分。经试验证明,所构建的调试监控系统使用方便、稳定、可靠。 相似文献
3.
为研究催化剂对湿式过氧化氢氧化印染废水效果的影响,采用共沉淀法制备了TiO2-CeO2催化剂,并用浸渍法制备了不同铁负载量的Fe/TiO2-CeO2系列催化剂。以过氧化氢湿式催化氧化法处理COD=10 125 mg/L的H-酸模拟印染废水,结果表明:以TiO2-CeO2催化剂处理水样,当催化剂质量浓度为4 g/L,n(Ti)∶n(Ce)=9∶1,水样初始pH=5,反应温度80℃,反应时间2 h,COD去除率达44.3%;以Fe/TiO2-CeO2处理水样,当催化剂质量浓度为4 g/L,n(Ti)∶n(Ce)=9∶1,w(Fe)=2.0%,在水样初始pH=5,反应温度100℃,反应时间1.5 h的条件下,COD去除率可达86.9%。 相似文献
4.
在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了AlN薄膜.用AES方法和XPS方法分析了AlN膜和AlN/GaAs界面.在AlN/GaAs界面发现了O—Al键,没有发现O—Ga键或O—As键.本文通过实验证明,AlN/GaAs界面的O元素在AlN淀积过程中从GaAs表面转移到AlN膜中.这与通过PECVD方法淀积AlN薄膜形成的AlN/GaAs界面完全不同.由于AlN/GaAs界面的O元素是与Al结合的,因此有较好的界面特性.这是直流磁控反应溅射方法制备的AlN薄膜适用于GaAs器件钝化的主要原因 相似文献
5.
目前世界上较为先进的增圾处理场都是用粘土夹防水土工膜的水平防污力式。而水平防渗的投资十分巨大。因此,参照有关工程,我们确定 以一部分自然山体天然防渗与人工垂直防渗相结合的设计方案,即利用一个山沟两侧岩体不渗漏,面在沟口修建人为垂直防渗工程的方式。 相似文献
6.
7.
8.
在已有固定床工艺的基础上,提出基于分子管理的液相模拟移动床吸附分离工艺以实现石脑油中的正构烷烃与非正构烷烃的分离。考察了模拟移动床工艺的操作温度、切换时间、进料流速、脱附剂流速以及脱附油抽出流速对分离效果的影响,也考察了后续脱附剂精馏回收过程。结果表明,优化的工艺操作条件为操作温度170℃、切换时间900s、进料流速5 mL/min、脱附剂流速20 mL/min、脱附油抽出流速10 mL/min。经过模拟移动床吸附分离工艺,脱溶剂脱附油中正构烷烃质量分数达到98%,脱溶剂吸余油中非正构烷烃质量分数也达到92%。与原料石脑油相比,脱溶剂脱附油作为乙烯裂解原料时,乙烯收率可以提高约17百分点;脱溶剂吸余油的芳烃潜含量提高了约10百分点,其研究法辛烷值提高了约20个单位。 相似文献
9.
利用开口闪点测定仪,通过大量的闪点测试实验,研究不同添加剂对聚醚类润滑油闪点的影响规律,深入探讨了由吩噻嗪与叔丁基对苯二酚以不同比例混配添入与聚醚类润滑油闪点变化的关系,该研究结论对提高聚醚类润滑油闪点添加剂的选择提供重要依据。 相似文献
10.
测量了一系列不同隔离层(spacer)厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管(pHEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱,详细研究了(el-hh1)和(e2-hh1)两人发光峰之间的动态竞争发光机制,并运用有限差分法自治求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能极以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化。 相似文献