TFT-LCD基板玻璃磨削废水回收再利用系统

在生产TFT-LCD基板玻璃的过程中,为了消除玻璃边部锐角、降低边部应力,需要对玻璃四边进行磨削加工。磨削过程会瞬时集聚大量的热量,因此需采用大量水冷却防止烧边、掉片等品质缺陷。为了保证冷却效果,避免玻璃表面污染,磨削用冷却水采用价格高昂的10 MΩ纯水。为了降低纯水消耗,开发了1套废水回收再利用系统,并改造G5代基板玻璃生产线。通过对比改造前后的纯水水质与玻璃加工品质,发现纯水用量显著降低,回收再利用水没有污染玻璃表面,边部满足品质管控要求,生产成本大幅缩减。该系统具有实际应用价值。     

硅通孔铜互连甲基磺酸铜电镀液中氯离子的作用

研究了硅通孔(TSV)镀铜用甲基磺酸铜高速镀液(由Cu(CH3SO3)240g/L、甲基磺酸60g/L及Cl-50mg/L组成)中氯离子的作用机理。采用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl-的作用效果,并采用电化学阻抗谱(EIS)和电子顺磁共振(EPR)探讨了Cl-在铜电化学沉积中的影响机制和对Cu+配位场的影响。结果表明:在深孔内扩散控制条件下,Cl-对铜沉积有明显的加速作用;在表面非扩散控制区域,尤其是高电流密度区,Cl-具有一定的抑制效果。因此,Cl-的存在有利于改善TSV深孔镀铜填充效果,提高填充速率。     

级联型单级分布式宽带单片功率放大器

报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6～18GHz频率范围内线性增益13.5dB,平坦度±1dB,输入输出驻波比均小于2。全频带上,饱和输出功率为300～450mW,功率附加效率大于15%。该宽带单片功率放大器在100mm GaAs MMIC工艺线上采用0.25μm功率pHEMT标准工艺制作,芯片尺寸为2.7mm×1.25mm×0.08mm。     

液晶基板玻璃掰边技术探讨

液晶基板玻璃行业发展迅速,高世代基板玻璃的市场需求也越来越大,国内几家基板生产企业也陆续引进高世代液晶基板玻璃自动化生产线,并相继投产。自动化生产线中,根据自身加工世代的需要及产线工艺特点,来选择不同的掰边技术。早期低世代小尺寸基板的掰边技术已经不能满足高世代基板玻璃生产的需要,针对高世代玻璃耳料掰断工艺特点,掰边技术也随之发展。通过系统介绍适用于基板加工领域的剪切式、旋转压断式、抓取压断式掰边技术及其掰断机理和特点,探讨了不同世代基板玻璃所适用的掰断方式,并对基板玻璃的掰断技术予以展望。     

分部积分法探讨

分部积分法是积分学中一种重要的积分方法,通常用于解决两个不同类型函数乘积的积分,其本质是乘积微分公式的逆运算,在使用过程中一般需要反复凑微分,凑微分法是很多学生在学习过程中碰到的一个难点,本文通过对分部积分的本质进行分析,总结出简单易懂的分部积分方法,可避免反复凑微分。     

面向全球化的网络联盟制造的研究

由于信息技术革命使得企业的组织方式发生了根本的变化,特别是在全球化浪潮的冲击下,需要企业能够具备极快的市场响应能力,网络联盟制造就是面向制造全球化的一种新的企业制造模式.企业信息系统关注的目标,一是如何将企业内部各个不同领域的系统集成起来,使信息能够互通与共享,二是如何将企业的信息系统扩展到企业外部与企业有关的所有组织和个人,使从供应商到客户的供应链直至所谓"联盟"的整体性能大大提高,通过Internet相连接构成决策、制造、物流一体化的大系统.本文在对制造业全球化进行分析的基础上,将研究介绍网络联盟制造的概念及其相关的信息集成化技术.     

6～18 GHz单片级联型单级分布功率放大器设计

级联型单级分布放大器CSSDA是一种新的宽带放大器电路结构,不但具有带宽大、驻波特性好的特点,更具有增益高、易级联的优点。文章在对CSSDA特点分析及其与传统分布式放大器CDA 比较的基础上,讨论了此种电路用于功率放大器设计时的难点与解决办法。在此基础上完成的一种 MMIC pHEMT中功率宽带放大器的设计,使用两个栅长0．25μm、栅宽分别为200μm和600μm 的pHEMT,在6～18 GHz频带内,两级CSSDA型功率放大器的小信号增益14±0．5dB,输入输出驻波比小于2:1,1dB压缩点输出功率400mW。从放大器末级600μm栅宽的器件饱和输出功率为 500mW的能力看,功率密度达到800mW·mm-1,证明了级联型单级分布放大器实现宽带功率放大器的可行性。     

TFT-LCD基板玻璃粘附缺陷成因及控制

玻璃粘附缺陷是TFT-LCD基板玻璃生产过程中一种常见缺陷,该缺陷的存在会对基板玻璃成品在其后续加工中产生相关对应缺陷,为此在基板玻璃半成品生产过程中应予以严格控制。针对生产过程中各类玻璃粘附相关缺陷的产生成因、对策方法及对策结果进行了详细阐述。缺陷分析主要手段为缺陷显微镜观察摄像及测量。     

整平剂及电流密度对电子封装用铜微凸点电镀的影响

研究了宏观整平剂、微观整平剂及电流密度对铜微凸点表面平整性的影响,探讨了2种整平剂和电流密度对铜微凸点表面的作用机制.镀液组成和工艺参数为:CuSO475 g/L,H2SO4100 g/L,Cl-50 mg/L,整平剂H和W0～10 mg/L,(25±2)℃,60 r/min,1～8A/dm2,35 min.结果表明,宏观整平剂可促进铜的沉积,微观整平剂则可抑制铜的沉积,二者相互配合可改变电镀过程中镀孔的电力线分布,使电流密度分布均匀.在一定范围内提高电流密度可加快铜微凸点的生长.在6 A/dm2下,2种整平剂的质量浓度均为5 mg/L时,可制得结晶细腻、表面平整的铜微凸点.     

网络联盟制造中的协调机制

由于信息技术革命，使得企业的组织方式发生了根本的变化。特别是在全球化浪潮的冲击下，需要企业能够具备极快的市场响应能力，网络联盟制造就是面向制造全球化的一种新的企业制造模式。如何解决网络联盟制造中的伙伴之间的矛盾和冲突，成为保证网络联盟制造整体目标达成的关键。文中在对制造业全球化进行分析的基础上，描述了网络联盟一般协调机制包括的主要方法和支持工具，并介绍一种基于Multi-agent的网络联盟协调机制。