金属玻璃热力学特征温度的表征方法

采用DSC,DIL和DMA法分别表征了Zr₆₀Cu₂₈Al₁₂和Zr_63.78Cu_14.72Ni₁₀Al₁₀Nb_1.5两种金属玻璃的热力学特征温度。结果表明：采用这3种测试方法都能有效界定金属玻璃的玻璃化转变和结晶过程;DSC和DMA法表征玻璃化转变过程比DIL法更敏感;用DSC法的转变中点、DIL法的拐点及DMA法的起始点表征金属玻璃的玻璃化转变温度所得结果相当;DSC和DIL法都能有效分离多重结晶过程,DSC法表征的结晶温度比DIL法低,而DMA法较难分辨多重结晶过程,表征的结晶温度最低。     

高含水期油藏剩余油潜力定量化表征新方法

高含水期油藏与中低含水期油藏相比，剩余油的分布发生了显著变化，呈现高度分散、局部富集的特点，常规的剩余油潜力分布定量化表征方法在高含水期不再适用。考虑到剩余油分流能力与含水饱和度之间显著的非线性关系，提出了适用于高含水期油藏剩余油潜力分布定量化表征的新概念——优势潜力丰度。分析了胜坨油田坨七断块顶部油藏沙二段8—10砂层组高含水期剩余油优势潜力分布规律，在剩余油可采储量丰度基本相同的情况下，不同部位的优势潜力丰度最大相差达10倍，有效地突出了剩余油优势潜力部位，明确了剩余油的挖潜方向。     

盲提取在地球化学异常数据处理中的应用

利用盲提取算法提取地球化学的异常数据,再利用分形含量梯度法确定地球化学的异常浓度中心,应用该方法对西藏1：20万拉萨幅水系沉淀物地球化学测量数据进行了处理,所圈定的异常浓度中心和矿化分布与实际情况基本一致,说明了方法的实用性和有效性．     

衬底温度对脉冲激光沉积制备ZnO性能的影响

本文采用脉冲激光沉积（PLD）(KrF准分子激光器：波长248 nm,频率5Hz,脉冲宽度20 ns）方法在氧气气氛中以高纯Zn（99.999%）为靶材、在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究,分析了衬底温度变化对其性能的影响。实验结果表明我们使用PLD法在室温下可以制备出了高度结晶取向、高透过率和近带边发射的高质量ZnO薄膜。     

LPG铜片腐蚀原因分析及解决方案研究

实验对温米采油厂提供的液化石油气（LPG）样品进行定性、定量检测,确定引起LPG铜片腐蚀不合格的原因是H。S含量超标,样品LPG的硫含量为2．55μg／g。采用干法加速评价法来脱除LPG中的H2S。从常用的脱硫剂中评选出CNDS-1为最优脱硫剂,其最佳脱硫操作条件为吸附温度20℃～40℃,空速0．8h－1～1．5h－1。在最佳条件下,可将LPG中的H2S含量从302．40μg／g降到0．30μg／g以下,LPG铜片腐蚀实验合格,CNDS--1对H2S的吸附硫容量为8．20％（w）。根据对CNDS-1脱硫效果的实验研究,提出了固定床干法脱硫的原则工艺流程。该脱硫工艺流程简单,投资和操作费用低,无新增能耗,可以满足LPG产品铜片腐蚀合格的要求。     

第三代半导体氮化镓材料单晶制备技术及应用前景

随着科技的发展,半导体材料与人们的生活息息相关。氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有宽禁带、介电系数小、高电子迁移率、高热导率和耐辐射的优点,广泛用于光电器件、微电子领域中。本文详细阐述了氮化镓一维纳米线、单晶衬底的制备方法的原理及优缺点(如VLS法、HVPE法、氨热法等)、简述了在光电、射频、电子电力领域中的应用,并展望了未来的发展前景。     

严重非均质油藏开发层系重组渗透率级差界限研究

提出了严重非均质油藏水驱开发后期层系优化重组的调整思路,以及确定多层组合渗透率级差界限的方法。根据油藏动、静态资料,合理选取严重非均质油藏(以胡7南沙三中为例)储层渗透率和级差分布;通过长岩心水驱油实验,确定影响单层驱替效果的主要因素,为数值模拟研究提供参数取值依据;考虑启动压力的影响,对不同渗透率储层在多层组合条件下的驱替进行模拟研究;提出用综合影响因子来反映非均质性对低渗透层动用特征、驱替效果的影响程度,并确定多层组合的渗透率级差合理界限。这些研究结果可为同类油藏水驱开发后期层系优化重组等开发政策的制定提供参考。     

沉积时间对脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜性能的影响

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在氧气气氛中以高纯Zn为(99.999%)靶材,在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜.通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究,分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响.结果表明,采用PLD法在室温下可以制备出(002)结晶取向和透过率高于75%的ZnO薄膜,但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差,沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能.     

驱排剂解堵工艺技术的研究与应用

吐哈温米油田属低孔、低渗、低产能油藏，原油含蜡量、沥青质较高。油田开采10余年，进入了中高含水采油期，注入水及各种作业工作液进入油层，以及温度、压力的变化，使得油井的近井地带结垢严重。针对近井油层污染，开展了驱排剂解堵工艺技术研究和现场应用，对提高油井的产液能力产生了重要作用。     

退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响（英文）

为研究退火温度(从室温到500℃)对ZnO薄膜和薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)电性能的影响,使用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和光致发光等技术对ZnO-TFT进行表征.实验结果表明,具有400℃退火温度的Zn O-TFT表现出最佳性能,迁移率为2. 7cm2/Vs,阈值电压为4. 6 V,开/关电流比为5×10~5,亚阈值摆幅为0. 98 V/Dec.电性能的改善可归因于载流子浓度的降低,Zn O膜结晶的增强,以及氧化物半导体层和绝缘层之间界面的改善.