增产胺的合成与应用

在相转移条件下合成了增产胺，产率达９４％。田间实验表明，增产胺对大豆具有增加光合作用，促进生长，增花增英，大幅度提高单产的作用。大豆亩产增加３１．４％；大豆的质量明显改善，蛋白质和脂肪含量分别提高１５．３４％和６．５８％。     

FlexE承载电力业务的应用架构及测试验证

随着大规模配电网自动化、分布式能源接入、用户双向互动等通信业务快速发展,电网通信业务呈现出多颗粒度、安全隔离、低时延的承载需求,新一代以太网FlexE接口技术具有带宽灵活配置、硬隔离管道及超低时延的优点,能否在接入侧承载电网业务成为重要课题。文章研究了FlexE切片技术在电网中的应用架构,分析了电网典型业务对FlexE切片适配性,分别从隔离性、低时延及带宽灵活绑定3方面提出了FlexE切片技术承载电力典型业务的测试方案,为FlexE网络切片在电网中的推广应用提供测试基础。     

2～20GHz分布式单片放大器设计

介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级联分布式结构。此种电路结构不仅能够增加整体电路的增益和带宽,还可以提高电路的反向隔离,获得更低的噪声系数。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。后期电路在中国电子科技集团公司第十三研究所砷化镓工艺线上加工完成。电路性能指标:在2～20 GHz工作频率范围内,小信号增益>13.5 dB;输入输出回波损耗<-9 dB;噪声系数<4.0 dB;P-1>13 dBm。放大器的工作电压5 V,功耗400 mW,芯片面积为3.00 mm×1.6 mm。     

大型循环流化床机组一机二炉设计探讨

介绍了一机二炉的大型循环流化床机组的主汽、再热、旁路系统设计,针对循环流化床锅炉再热器不同的调温方式,对二炉的中间再热系统的流量、温度、压力参数的匹配进行了分析,并探讨了一机二炉在大型循环流化床机组设计的可行性。     

GaAs 10 bit DAC的抗辐射设计和实验

通过分析砷化镓(GaAs)器件的电离辐射剂量率辐照机理和效应,结合电路结构,描述了砷化镓10 bit数模转换器(DAC)的电离辐射剂量率辐射效应、抗辐射设计和辐照实验。在电路设计上,10 bit DAC由两个5 bit DAC组成,通过芯片内部合成10 bit DAC,有效降低了芯片面积和制造工艺难度;通过分析电路的电离辐射剂量率辐射效应,针对敏感电路进行局部电路的抗辐射设计,提高电路抗辐射能力;结合实验条件和器件引线分布,设计合理的辐照实验方案,开发辐照实验电路板,进行辐照实验,获得科学的实验结果,验证电路的抗辐射能力。实验结果表明该数模转换器能够抗3×1011rad(Si)/s剂量率的瞬时辐照。     

超宽带延时幅相控制多功能芯片的设计

针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R 开关、5 位数控延时器(10 ps 步进TTD)、5位数控衰减器(1 dB 步进ATT)、2 个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs E/D PHEMT 工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm*5.0 mm*0.07 mm。采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3 ~ 17 GHz 频段内实现了10~310 ps 延时范围,1~31 dB 衰减范围。测试结果显示,发射/接收增益大于2 dB,发射1 dB 压缩输出功率P1 dB_Tx大于12 dBm,接收1 dB 压缩输出功率P1 dB_Rx大于10 dBm,全态输入输出驻波均小于1.7,+5 V 下工作电流130 mA,-5 V 下工作电流12 mA。衰减器全态RMS 精度小于1.4 dB,全态附加调相小于±8°。延时器全态RMS 精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1 dB。     

多氯代苯氧基苯酚类高效杀菌剂的研究

多氯代苯氧基苯酚类杀菌剂是六氯酚的替代产品,本研究以氯代酚和氯代硝基苯为原料合成了9种目标化合物,分别测定了它们的杀菌性能。实验发现以二氯苯酚和二氯硝基苯为原料合成的DP-300的抑菌能力最强,是洗必泰的30倍以上。DP-300的产品纯度符合FDA标准,生产工艺达到世界先进水平。     

一款毫米波超宽带GaN MMIC低噪声放大器

基于0.15μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提高了放大器的匹配带宽;由微带线、短截线和电容组成的无电阻输入匹配网络减小了输入热噪声,优化了电路的噪声系数;在级间匹配网络中引入电阻元件,通过降低Q值扩展电路工作带宽。采用SiC衬底0.15μm AlGaN/GaN HEMT工艺进行流片,在片测试结果表明,在频率14～34 GHz时,该LNA的增益为(18±1)dB、噪声系数小于4.5 dB,在频率为39 GHz时1 dB压缩点输出功率为19 dBm,最大输入承受功率为30 dBm,相对工作带宽大于100%。研制的MMIC LNA面积为1.71 mm²,功耗为1.05 W。     

超级Wi-Fi系统在特高压线路工程中的应用研究

特高压线路工程巡检存在速度慢、风险大、无法留取视频和巡检位置信息等问题,通过在索道上挂载无线图像传输设备,让设备替代巡检员进行快速巡检是电力系统研究的重要课题.为解决特高压线路工程的索道视频回传问题,已有智能摄像系统采用1.4 GHz的图传模块传输图像、视频信息,采用900 MHz的数传模块传输定位信息.该智能摄像系统...