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本文对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了四种不同的应力试验:1.高温反偏(HTRB);2.高压反偏(HRB);3.高温正向大电流(HFGC);4.高温存贮(HTS).通过HRB,ΦB从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大.HTS试验中ΦB从0.67eV增加到0.69eV.分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,SEM观察中有电徙动及断栅现象发生.AES分析表明。应力试验后的样品,肖特基势垒接触界面模糊 相似文献
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本文用现场实测数据说明谐波对电同的污染已日趋严重,它已危害电力系统的安全运行。指出由于谐波引起的电能计量所面临的新问题应引起足够的重视。 相似文献
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本文对三相无功功率表的二种接线方法“跨相90°”和“人工中性点”进行了分析,并进行了模拟试验,结果表明“人工中性点”的接线法测无功功率准确度较高。 相似文献
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对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了高温反偏(HTRB)、高压反偏(HRB)、高温正向大电流(HFGC)、高温存贮(HTS)4种不同的应力试验。通过HRB,φb从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大,HTS试验中φb从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明,其主要的失效模式为烧毁,同时,SEM观察中也有电徙动及断栅现象发生。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面出现模糊,有明显的互扩散和反应发生。 相似文献
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