SiC纳米管的研究进展

SiC纳米管是一种宽带隙准一维半导体纳米材料。元素Si属于sp3杂化，C易于形成石墨管状的sp2杂化，由Si、C构成的SiC纳米管的稳定性介于si纳米管与C纳米管之间。介绍了SiC纳米管研究的最新进展，主要从SiC纳米管的实验和理论研究两个方面进行了综述，并展望了SiC纳米管今后的研究方向。