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以马铃薯淀粉为原料,合成可反复弯曲折叠的柔性透明基底膜,通过多元醇法制备导电银纳米线(Ag NW),用旋涂法将Ag NW均匀覆盖于淀粉基底膜表面,两者通过分子间作用力相结合,制得系列Ag NW沉积密度不同的复合导电薄膜材料。对产品形貌、结构及稳定性进行了分析,并探索了不同AgNW沉积密度对复合导电薄膜材料光电性能的影响规律。结果表明,获取的柔性基底膜具有92%透光率、3.92 nm粗糙度、29.01 MPa拉伸应力;导电银纳米线直径约60 nm,长度20~30μm。当Ag NW沉积密度超过300 mg/m2时,方块电阻(Rs)低于22.6?/sq,透光率低于65%,光电优值(FOM)高于35,是氧化铟锡(ITO)导电膜的良好替代材料。将复合膜反复弯曲折叠Rs变化量低于5%,TGA测试发现,淀粉基底膜及复合膜热分解温度高于250℃,有利于对其进行进一步高温导电处理;稳定性测试结果表明,复合膜放置于空气中随时间延长Rs略微增大。 相似文献
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以马铃薯淀粉为原料,合成可反复弯曲折叠的柔性透明基底膜,通过多元醇法制备导电银纳米线(Ag NW),用旋涂法将Ag NW均匀覆盖于淀粉基底膜表面,两者通过分子间作用力相结合,制得系列Ag NW沉积密度不同的复合导电薄膜材料。对产品形貌、结构及稳定性进行了分析,并探索了不同AgNW沉积密度对复合导电薄膜材料光电性能的影响规律。结果表明,获取的柔性基底膜具有92%透光率、3.92 nm粗糙度、29.01 MPa拉伸应力;导电银纳米线直径约60 nm,长度20~30μm。当Ag NW沉积密度超过300 mg/m2时,方块电阻(Rs)低于22.6?/sq,透光率低于65%,光电优值(FOM)高于35,是氧化铟锡(ITO)导电膜的良好替代材料。将复合膜反复弯曲折叠Rs变化量低于5%,TGA测试发现,淀粉基底膜及复合膜热分解温度高于250℃,有利于对其进行进一步高温导电处理;稳定性测试结果表明,复合膜放置于空气中随时间延长Rs略微增大。 相似文献
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