磁化水配料对TiO2压敏陶瓷电性能和微观结构的影响

研究了使用磁化水配料对TiO2压敏陶瓷电性能和微观结构的影响。电性能测量及SEM和XRD微观结构分析结果表明：磁化水配料制备的TiO2压敏电阻具有较低的压敏电压和较高的非线性指数α。材料的主晶相为金红石相，由Ce,Si,Ti组成的Perrierite第二相均匀分布在晶界区域。因此，采用磁化水配料可以改善材料的工艺性能和陶瓷烧结体的微观结构，从而提高元件的电性能。     

SrTiO3环型压敏电阻器的研制及商品化生产

采用液氨分解制备的75％H2 25％N2混合气体形成还原性气氛，同时掺杂Nb2O5等添加剂使晶粒半导化，通过在空气中热处理使晶界绝缘，制得SrTiO3环型压敏电阻器，并在国内较早投入大规模商品化生产．笔者对产品进行了常规电性能测试，特殊试验及寿命试验，井与国内外同类产品进行了比较。结果表明：产品主要电气性能达到或接近国外同类产品水平，成品率达到90％以上。     

TiO_2压敏电阻陶瓷元件等静压成型试验研究

采用干压及干压加等静压两种成型方法,通过对不同样品的电性能和焊接性能的比较,并通过SEM微观形貌的观察,研究了等静压成型对TiO2压敏电阻陶瓷元件的微观结构及电性能的影响。结果表明,经等静压成型的TiO2压敏电阻陶瓷的微观结构比较致密,气孔减少,元件的电压一致性和焊接性能得到较大的改善。     

正温度系数SrTiO_3环形压敏电阻器研制成功

SrTiO3压敏电阻器是一种广泛用于微电机灭弧消噪的EMC对策元件,温度特性是SrTiO3压敏电阻器的重要性能指标,通常是用压敏电压随温度的变化系数来表示的,如下式所示: k = 2550100)()()(251025105010--EEE(%1) 式中:(E10)50和(E10)25分别表示50及25时的压敏电压值。k值越小越好,当k值为正值时,压敏电阻承受瞬态浪涌和静态功率的能力显著提高,元件的工作稳定性和可靠性进一步改善,因此温度系数最好为正值。 据报道,20世纪80年代日本SrTiO3压敏电阻的电压温度系数约为0.5%1,1990年日本太阳诱电和TDK的产品标准中规定为0.3%1,实际产…     

分散剂在钛酸锶陶瓷浆料中的作用研究

介绍了分散剂在陶瓷浆料中的分散作用及分散机理.通过沉降试验,将单一的分散剂分散效果和2种分散剂混合使用的分散效果进行对比,实验得出,本实验所使用的混合型分散剂的分散效果比单一分散剂分散效果有明显的提高.     

纳米复合技术改善ZnO压敏电阻微观结构及电性能一致性的研究

采用氨浸法制备ZnO纳米复合压敏瓷料的工艺手段,研制出压敏场强大于330V/m m,漏电流小于1μA,非线性系数大于58的压敏电阻器,电性能的一致性要优于普通压敏电阻器的5～10倍。用扫描电镜和能谱对瓷体显微结构及面扫成分进行了分析,讨论了ZnO压敏电阻材料结构和电性能的关系。研究表明,加入纳米复合粉制备压敏电阻是降低大规模生产中的成本,提高ZnO压敏电阻电性能及其一致性的有效途径。     

(Nb、Ce、Si、Ca)掺杂对TiO2压敏电阻陶瓷电性能的影响

采用正交实验方法研究了掺杂Nb2O5、CeO2、SiO2、CaCO3等对TiO2压敏电阻陶瓷电性能的影响.利用XRD及SEM实验方法分析了样品的物相和微观形貌,发现有第二相产生.这种新的第二相的存在,对压敏电压有明显的影响.优选典型配方制得样品的主要电性能指标为V1mA=10～20V,V10mA=20～30V,α=3～5,电容C=50～90nF,损耗tgδ＜0.8.     

低压非线性ZnO陶瓷和它的微观结构

本文阐述了不同添加物和烧成温度对非线性氧化锌陶瓷微观结构的影响,并讨论和分析了其性能与微观结构之间的连系。实验证明添加TiO_2比添加Sb_2O_3更容易得到单位厚度压敏电压较低的非线性氧化锌陶瓷。这种材料特别适用于生产耐浪涌容量较大的低压元件。本工作的成果是使单位厚度压敏电压降至40～50V/mm。     

SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷元件

由SrCO3与TiO2经高温合成的SrTiO3为主要原料,添加Nb2O5,La2O3等金属氧化物或稀土氧化物,在由液氨分解制得N2 H2的混合气氛中烧结,再经低温下氧化处理,低成本商品化生产的SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷元件,主要电性能指标达到国际先进水平。该元件应用范围十分广泛,特别是作为微电机灭弧消噪的EMI对策元件受到世界的瞩目。     

CeO2对TiO2系电容-压敏复合陶瓷电性能的影响

通过对样品压敏性能和介电性能的测定，研究了CeO2对Nb-TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现，晶界处硅钛酸铈相的生成使Ce02对Nb-TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下，掺杂量为0．4m01％CeO2的样品表现出优良的综合电性能，其压敏电压为15．84V／mm，非线性系数α为4．62，并具有很高的相对介电常数(εγ=158600)，较低的介电损耗(tgδ=0．32)，是1种具有较好潜力的新型电容-压敏电阻器。