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易门县"十五"农业综合开发以改造中低产田、加强农业基础设施建设为重点,在改善农业生产条件、优化结构、提高农业综合生产能力、扶持优势农产品基地和龙头企业建设等方面取得了显著成绩.推进了农业产业化经营步伐,提高了农业综合效益,增加了农民收入.回顾和总结"十五"农业综合开发成功经验,对于推进"十一五"农业综合开发,在建设社会主义新农村中具有重要的指导意义和借鉴作用. 相似文献
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采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅(porous silicon, PS), 对其进行超声后处理.以PS为模板采用一步浸渍沉积法制备大小均匀、形状规则的铜纳米颗粒, 并研究沉积时间对纳米颗粒形状、尺寸的影响.结果表明:PS超声后处理并未造成其物理和化学结构的破坏, 大量的硅氢键(SiHx)和蜂窝状多孔结构(直径150 nm左右)分别为纳米铜的形成和生长提供了还原剂和场所;沉积时间对铜纳米颗粒形貌具有重要影响, 当沉积时间为40s时得到形状和尺寸较为均匀的铜纳米颗粒. 相似文献
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太阳能电池利用光伏效应直接将光能转变成电能,能有效地解决未来能源危机和环境污染,符合可持续发展的理念.传统的硅基太阳能电池存在需要高温过程,工艺复杂,发电成本无法与火电和水电相抗衡等问题.针对上述问题,近年来研究人员开发了诸多新型太阳能电池以降低制造成本,其中采用石墨烯作为透明电极的石墨烯/硅肖特基结太阳能电池被认为是新一代低成本、高效率的太阳能电池.然而,石墨烯功函数较低、方阻较高,载流子沿界面复合严重,并且平面硅反射率较高,导致石墨烯/硅肖特基结太阳能电池的效率远低于传统硅基太阳能电池.因此,近年来,主要研究重点在石墨烯掺杂改性、抑制界面处的载流子复合和降低器件的反射率等方面.目前,石墨烯/硅肖特基结太阳能电池的光电转换效率(PCE)已由1.65%提升到16.61%.目前,成功应用于提升器件性能的石墨烯掺杂剂主要有HNO3、金属纳米粒子和双(三氟甲磺酰基)酰胺(TFSA)等.其中,HNO3应用最为广泛,但其稳定性较差,采用金属纳米粒子等物理掺杂可以同时提升器件的PCE和稳定性.在石墨烯和硅之间引入Al2 O3、MoS2、量子点等界面层和表面钝化,可以有效地减少硅表面的悬空键,抑制载流子复合,从而提高器件的性能.此外,研究人员通过在石墨烯表面引入TiO2、PMMA、MgF2/ZnS等减反射膜,或在硅表面引入纳米线、多孔硅等微结构,来降低器件的反射率,提高其对光的利用率.本文总结了近年来石墨烯/硅太阳能电池的研究进展,简要介绍了器件的结构和原理,重点介绍了石墨烯掺杂、石墨烯层数选择、硅的纳米或微米结构、减反射膜和界面优化等手段,分析了目前石墨烯/硅肖特基结太阳能电池商业化所面临的问题并对其提出展望,以期为制备效率高和稳定性强的新型石墨烯/硅肖特基结太阳能电池提供一定参考. 相似文献
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以金刚线切割多晶硅为原料,研究不同纳米金属催化剂(银、铜)辅助化学刻蚀对纳米结构引入及多晶硅片表面制绒效果的影响。研究结果表明:不同纳米金属物种诱导刻蚀对硅片表面形貌结构的影响巨大,相比于纳米银辅助刻蚀形成的硅纳米线阵列结构而言,纳米铜辅助刻蚀形成的倒金字塔结构在各方面的性能均比较突出,大面积微尺度的倒金字塔阵列结构可以更完美地融合表面低反射率和钝化不佳之间的矛盾,且硅片表面切割纹去除效果明显。当金属铜辅助化学刻蚀制绒15 min时,倒金字塔结构最规则、均匀,且在300~1 100 nm波段范围内,反射率由原片的41.8%降低至5.8%。同时倒金字塔形貌具有优越的减反效果和去除切割纹能力,使得制绒金刚线切割多晶硅片有望用来制备高效率的太阳能电池。 相似文献
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采用金属催化化学刻蚀法(MCCE),以金属Ag为催化剂,在HF与H2O2体系中通过交替刻蚀在P(111)硅衬底上制备出锯齿形硅纳米线阵列.利用扫描电子显微镜对硅纳米线的形貌进行了表征,研究了HF浓度与H2O2浓度对纳米线刹蚀方向的调控作用.选取不同的HF与H2O2浓度配比,分别对硅基底各向同性刻蚀与各向异性刻蚀进行调控,使得刻蚀方向对溶液浓度的变化能够快速响应.在溶液Ⅰ([HF]=2.3 mol/L,[H2O2]=0.4 mol/L)与溶液Ⅱ([HF]=9.2 mol/L,[H2O2]=0.04 mol/L)中交替刻蚀,制备出刻蚀方向高度可控的大规模锯齿形硅纳米线.利用紫外-可见分光光度计对锯齿形硅纳米线的减反射性能进行研究,结果表明,其表现出优异的减反特性,最低反射率为5.9%.纳米线形貌的高度可控性使其在微电子器件领域也具有巨大的应用前景. 相似文献
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通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线, 并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO3浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律. 研究结果表明: 较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成, 这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷, 同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低, 更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列; 在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中, 溶液中AgNO3浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用, AgNO3浓度过低或过高时, 硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇, AgNO3浓度为0.02 mol·L-1时, 硅纳米线会生长变长, 最终形成多孔硅纳米线阵列. 随着硅纳米线的增长, 纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象; 且当HF溶液浓度超过4.6 mol·L-1时, 随着HF酸浓度的增加, 硅纳米线的长度随之增加. 同时, 硅纳米线的顶部有多孔结构生成, 且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多, 这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核, 导致硅纳米线侧向腐蚀的结果. 最后, 根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释, 归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解. 相似文献
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在各种商业太阳能电池中,传统硅基太阳能电池由于其原材料丰富、制作工艺成熟等优势,在全球光伏市场中占据着主导地位。但是传统硅基太阳能电池在生产过程中需要高温扩散或者离子注入形成p-n结等原因使其成本高于常规能源,并且这个过程能耗高同时对环境造成污染,与清洁能源的目标相矛盾。因此,进一步降低光伏发电成本,一直是人们所追求的目标。近年来,石墨烯/硅(Gr/Si)肖特基结太阳能电池因其工艺简单且有望实现低成本器件制备而备受关注。石墨烯具有透光率高、导电性好等特点,可作为此类太阳能电池中光生载流子分离的活性层和透明电极。同时石墨烯的导电性可通过化学掺杂或增加石墨烯薄膜层数得以提高。当前,界面工程、化学掺杂、减反薄膜等技术的引入使石墨烯/硅(Gr/Si)肖特基结太阳能电池的光电转换效率在短短几年就从1.65%提高到16.61%(接近传统硅基太阳能电池的水平),说明石墨烯/硅(Gr/Si)肖特基结太阳能电池具有巨大的发展潜力。但是硅表面存在大量的悬挂键和缺陷,这些表面态可以充当电子的俘获和复合中心,极大地增加了硅表面载流子复合速率,造成费米能级钉扎、肖特基势垒降低,不利于器件性能的提升。通过Gr/S... 相似文献