超细银粉及导电复合材料制备与表征

为了制备相对较低固化温度银导电复合材料,采用AgNO_3为银源,液相还原法制备了球形超细银粉。导电复合材料主要由超细银粉和有机载体组成,并系统研究了制备工艺对银导电复合材料性能的影响。结合X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、热分析(DSC/TG)等分析手段,研究了银粉的晶体结构、形貌及导电复合材料的电性能、强度和形貌。结果表明,球形超细银粉的平均粒径为150 nm,粒径分布在50~200 nm,呈立方晶体结构。推荐最佳的导电复合材料制备薄膜工艺为:70%银粉、30%的有机载体,在150℃的温度下固化30 min,该薄膜的电阻率为5.2×10~(-4)?·cm。