二氧化铪（HfO2）薄膜制备的研究进展

随着集成电路的迅速发展。高K值栅介质材料将成为下一代MOS器件最具有希望的候选材料。HfO2具有宽带隙和高介电常数而备受关注。本文简述了HfO2薄膜的制备方法及研究进展。     

水热合成Zn0.95Ni0.05O稀磁半导体纳米晶

采用水热法,分别以2 mol/L的NaOH和KOH作为矿化剂,在240℃保温24h,合成了Zn0.95Ni0.05O稀磁半导体纳米晶粉体.X射线衍射结果表明:Ni离子取代Zn离子,并且没有出现杂质相.紫外-可见光吸收光谱测试进一步表明,Ni离子已进入ZnO晶格内;采用能谱测试表明,Ni离子的实际掺杂摩尔分数为3.20%.室温下,通过振动样品磁强计测试表明,所制备的Zn0.95Ni0.05O纳米晶体具有优良的铁磁性能.     

浅析影响陶瓷成型过程的因素

针对冷等静压成型陶瓷生产过程中出现的若干问题,分析其影响因素,提出具体的改进意见和建议,并阐述了对陶瓷生产过程控制的必要性。     

陶瓷热压铸模具设计的几点思考

重点阐述了陶瓷热压铸成型用模具的设计理念，设计技巧和方法，模具的热处理对陶瓷坯件有重要的影响，模具对陶瓷生产的重要意义以及国内模具的现状也作了介绍。