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特高压换流变压器绝缘承受的直流电压高,绝缘缺陷劣化发展迅速,且单凭局部放电(PD)量值和放电次数无法对绝缘缺陷的发展阶段进行分析诊断。为此,研究了特高压换流变压器内部油纸绝缘缺陷直流局部放电特征及其发展过程,构建了油纸针-板等7种局部放电模型。采用阶梯式升压法研究在长期外加电压作用下,绝缘纸板从起始放电到被击穿的整个缺陷发展过程中脉冲电流信号的实时特征及其统计特性,通过拍照的方式给出各模型各发展阶段纸板表面电腐蚀状态,并给出各相应发展阶段电场的空间分布。结果表明:直流局部放电发展过程复杂,初期以大放电脉冲为主,放电频率低,等待恢复时间随机性强;中期和末期以小脉冲放电为主,等待恢复时间均匀分布;临界击穿时等待恢复时间分布集中。结合多种放电模型直流局部放电试验,可断定不同缺陷结构从起始直流局部放电到击穿的过程中,其局部放电的总体发展趋势表现一致。 相似文献
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介绍了高膨胀系数(α)、低软化温度(Tf,俗称熔点)、高电阻率(ρ)无铅微晶封接玻璃的发展和研究现状。分析了元素周期表中Pb对角线及其邻近元素的氧化物在玻璃中替代PbO的可能性,探讨了富含常见玻璃生成体氧化物、有条件形成玻璃氧化物的无铅微晶封接玻璃。详细讨论了富含Bi2O3微晶封接玻璃的成分设计、制备工艺、主要性质和产品开发情况。得到如下结论:富含PbO的微晶封接玻璃能获得高α、低Tf和高ρ;但因其对环境有害已逐渐被法律所禁止。富含玻璃生成体SiO2、P2O5、B2O3、As2O3、GeO2或Sb2O3系统的无铅微晶封接玻璃,或因其不能同时兼顾高α、低Tf、高ρ(如SiO2、P2O5或B2O3),或因该氧化物的毒性(如As2O3)、成本高(如GeO2),或因其制备条件苛刻(如Sb2O3),而应用受限。有条件玻璃生成体Al、V、Te、Mo、Se和Ti的氧化物中,富含Al2O3的玻璃因α低和Tf高而未发现有作为无铅微晶封接玻璃主要成分的相关报道;其他或者因其毒性(如V2O5)、成本高(如Te、Mo或Se的氧化物)等,不适合作为家用电器电热管用的金属-金属间封接;含TiO2的玻璃因极易析晶及α低而未发现有作为无铅微晶封接玻璃主要成分的相关报道。富含元素周期表中Pb对角线及其邻近元素Sn、In、Tl或Bi氧化物的无铅微晶封接玻璃,或因制备工艺苛刻(如SnO),或因该氧化物的毒性(如Tl2O3)、成本高(如In2O3)而应用受限;富含Bi2O3的无铅微晶封接玻璃,无毒且同时兼具高α、低Tf、高ρ的特点,适用于家用电器中金属-金属间的封接。 相似文献
3.
用红外光谱仪、拉曼光谱仪和差热分析仪研究了用“熔化-急冷”制得的用于SOFC封装的含Y2O3的ZnO-Bi2O3-B2O3系统玻璃的结构和转变温度(Tg);用X射线衍射仪、热膨胀系数仪和高阻计研究了由“模压成型-热处理”制得的该玻璃制品的微晶化、热膨胀系数(α)和体积电阻率(p)情况.结果表明:Y2O3≤0.5~1.0wt.%时,Y2O3能促进[BO3]向[BO4]转变,使α降低;Y2O3≥0.5~1.0wt.%时,玻璃中Bi-O键增多,又使α降低趋势趋缓;随Y2O3增加,其作用可能由破坏网络结构逐渐向增强网络结构转变,致T8先降后升;添加Y2O3延缓了玻璃的析晶;微晶化能提高α和ρ;添加Y2O3虽致α和ρ下降,但其值仍在SOFC封接玻璃的要求范围内. 相似文献
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为区分变压器套管末屏高频局部放电信号来源,搭建含了电容屏撕裂缺陷套管和可拆装的针板放电缺陷模型的实验装置,采用在不同位置施加校准脉冲激励和高电压激发缺陷的实验方法,对变压器套管末屏耦合高频脉冲信号进行时频分析,同时比较了基于短时傅里叶变换、同步压缩小波变换、同步提取变换方法的时频图谱对信号传输路径的区分效果,并提出了时频图谱后处理方法。研究表明:利用传输过程对高频局部放电信号时频分析谱图的影响可以区分信号来源;与同步压缩小波变换、短时傅里叶变换相比,同步提取变换产生的时频图谱能更好地区分信号来源。 相似文献
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针对变电站运维工作中存在的效率低、管理成本高和智能化程度低等问题,将带电检测技术和分层分布的设计思想应用到变电站的智能化运维中,研制了分层分布的变电站智能带电运维系统。提出了分层分布的变电站智能运维模式,并进行了应用验证。该系统成功提高了变电站运维的网络化、自动化和智能化水平,提升了变电站运维的效率和质量,具有良好的推广和应用价值。 相似文献
6.
可靠性在智能变电站的设计及运行维护中是重要因素。对于目前智能变电站二次保护系统可靠性评估不够完善,将智能变电站二次保护系统采取了状态划分,并基于Markov模型建立了智能变电站二次系统的可靠性的评估模型。并借助实例分析了修复率对系统故障率的影响。结果表明提高修复率可以降低智能变电站二次系统故障率,当修复率成倍变大时二次系统整体故障率降低大约30%左右,同时显性故障率下降显著,隐性故障率下降率较低。在二次系统中可以通过提高修复率来提高系统的可靠性。 相似文献
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特高压变压器套管局部放电试验技术分析 总被引:2,自引:2,他引:2
为了完成特高压交流变压器套管的局部放电试验并指导特高压设备的局部放电测量,研究了在1100kV电压下进行套管局部放电试验的抗干扰措施和测量方法。根据特高压交流变压器套管型式试验的要求,套管局部放电试验的最高电压为1100kV,套管的局部放电量应10pC,这对试验能力的要求已达到国内试验条件的极限。在试验室对该套管完成的局部放电试验结果表明:试验场地布置、试验环境温湿度控制等都会对套管局部放电测量产生影响;使用紫外成像仪和红外成像仪可快速有效的排除试验场地内的悬浮放电干扰源;采用不完全平衡法的试验回路可以进一步排除干扰,从而成功进行特高压套管局部放电测量。 相似文献
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基于ARM的电力负荷管理终端的研制 总被引:6,自引:0,他引:6
提出并设计了一种基于ARM的嵌入式电力负荷管理终端。该终端以高性能的32位ARM处理器和嵌入式实时操作系统μC/OS-Ⅱ为核心,采用专用的电能计量芯片采集和处理现场电网数据,实现数据存储与传输、异常事件监测和远程负荷控制等功能。终端通过GPRS方式与主站进行通讯,主动上传各种数据或响应主站的各种命令。同时,通过本地人机交互接口也可方便地对终端进行操作。该终端具有可靠性高、实时性好、运行费用低等特点。文章论述了终端软、硬件的结构及其设计思路。 相似文献
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