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人射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为10~3V/Cm。讨一论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时问变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好。 相似文献
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Vivaldi天线属于非频变天线,充分利用该天线超宽的工作频带、辐射定向性良好、输入阻抗稳定、效率高、结构简单、造价低廉、平面易集成的特点进行新结构高功率天线的设计.高功率器件必须解决的难点是部件之间的放电问题.将Vivaldi天线的两个辐射面分置于介质衬底的两侧,得到一种具有耐高压特性好、相对对带宽达196%的新型异面结构高功率天线.为解决异面结构的馈电问题,将天线交错设计,采用平行板波导过波结构馈电,得到了相对带宽达180%的带宽. 相似文献
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正弦脉冲与等腰梯形脉冲传播特性的比较 总被引:4,自引:1,他引:3
研究了正弦脉冲中正弦波的周期T1与等腰梯形脉冲中等腰梯形波的中心频率相等,且具有相同的总脉冲周期T时,对相同圆形单元辐射器的轴线能量传播特性,解析与计算机数字模拟结果表明:当等腰梯形脉冲的上升时间小于中心频率的1/20时,在等腰梯形脉冲传播的慢衰减区,其传播特性优于对应的正弦脉冲的传播特性;当一次正弦脉冲中包含的正弦波数数目k远大于1时,不同k值的正弦脉冲具有相同的慢衰减特性。 相似文献
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GaAs半导体对1.06μm激光的吸收响应 总被引:2,自引:0,他引:2
入射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为10^3W/cm。讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好。 相似文献