预制盾构管片高性能混凝土的研究和应用

结合北京地铁预制盾构管片施工，对配制管片高性能混凝土的原材料和配合比进行了优选。试验证明。必须重视对水泥的选择，重点是早期强度、碱含量以及与外加剂的适应性。同时，必须重视对外加剂的选择，使用改性三聚氰胺高效减水剂和聚羧酸系高效减水剂效果较好。另外，针对市场上石子级配较差的状况，采用“组合级配”方法有效保证了混凝土中集料的级配，提高了新拌混凝土的工作性，保证了管片混凝土的匀质性和耐久性。     

一种应用于NB-IoT芯片的压控振荡器

采用40 nm 1P6M CMOS工艺,研究与设计了一款应用于窄带物联网(Narrowband Internet of Things,NB-IoT)芯片的压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO)。该VCO利用负反馈电路降低输出的相位噪声,通过电容减敏技术降低了输出频率相对于可变电容的敏感度,通过交叉偏置二极管技术提高了VCO增益的线性度。测试结果显示:VCO所需功耗为1.2 mW;当VCO震荡在3.49 GHz时,在偏离3.49 GHz的100 kHz、150 kHz、300 kHz、500 kHz和2.5 MHz的相位噪声的测量值依次为-92 dBc/Hz、-91 dBc/Hz、-100 dBc/Hz、-110 dBc/Hz和-125 dBc/Hz;采用此压控振荡器的NB-IoT发射机输出矢量幅度误差(Error Vector Magnitude,EVM)为7.8%,频谱辐射模板(Spectrum Emission Mask,SEM)和临近信道抑制比(Adjacent Channel Power Ratio,ACPR)均满足3GPP要求。可见,测试结果证明了所提出压控振荡器电路的有效性和实用性。     

An on-chip temperature compensation circuit for an InGaP/GaAs HBT RF power amplifier

A new on-chip temperature compensation circuit for a GaAs-based HBT RF amplifier applied to wireless communication is presented.The simple compensation circuit is composed of one GaAs HBT and five resistors with various values,which allow the power amplifier to achieve better thermal characteristics with a little degradation in performance.It effectively compensates for the temperature variation of the gain and the output power of the power amplifier by regulating the base quiescent bias current.The temperature compensation circuit is applied to a 3-stage integrated power amplifier for wireless communication applications,which results in an improvement in the gain variation from 4.0 to 1.1 dB in the temperature range between -20 and +80℃.     

新机场线8.8 m大直径混凝土管片生产工艺及组织优化

结合北京新机场线轨道交通工程的8.8 m大直径盾构管片生产,分析了大直径管片的产品及工艺特点,对大直径管片的生产工艺及组织进行了系统优化,实现了管片生产每天两循环的目标,经济效益明显,可为相似工程大直径管片生产提供参考义。     

一种基于电流控制模式的白光LED驱动芯片的设计

设计了一款基于2μm bipolar工艺、应用于彩色LCD背光照明的白光LED驱动芯片。采用PFM控制模式、低反馈电阻及负载电流反馈技术实现芯片驱动的低功耗和恒流输出。系统仿真结果表明,负载电流为20mA时,输出电压纹波系数为0.013%/V,输出电流纹波系数为0.02mA/V,效率为80.1%;芯片版图面积为0.67mm×1.28mm。     

InGaP/GaAs HBT射频功率放大器在片温度补偿电路研究

本文针对无线通信应用的InGaP/GaAs HBT射频功率放大器,提出一种新型的在片温度补偿电路。该温度补偿电路由一个GaAs HBT和五个阻值大小不同的电阻组成,结构简单,可实现性强。通过调整偏置电路中参考电压的方法调节功率放大器静态偏置电流,有效地实现补偿功率放大器功率增益和输出功率随温度变化的特性,优化了射频功率放大器的热特性,性能随温度只有略微的退化。将该温度补偿电路置入一个无线通信应用的三级单片集成功率放大器,温度在-20℃到＋80℃范围内变化时,增益随温度变化的变化量从4.3dB提高到只有1.1dB。     

基于北斗、GPS双模双通道的镜像抑制接收机射频前端设计

This paper introduces a fully integrated low power consumption radio receiver frontend circuit for a Compass(Beidou) and GPS dual mode dual channel system with 2.5 dB NF,1.02 mm~2 areas,and 8 mA of current in 0.18μm TSMC CMOS process.Except for a few passive components for input matching,other components such as an off-chip low noise amplifier or a balun are not required.With a non-tunable passive image rejection filter,the receiver frontend can achieve around 60 dB gain and 34 dB image rejection.     

应用于移动终端的线性功率放大器设计

设计了一种应用于移动终端的InGaP/GaAs HBT功率放大器。该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所引起的动态偏置点的偏离。电流镜结构的偏置电路与反馈电路使偏置电压维持在一个稳定的状态,在反馈电路中引入一个非反相电路加强了电路增益。通过在偏置管的基极并联一个反偏二极管改善了功率放大器的线性。芯片采用基板的封装形式进行测试,改善了功率放大器的散热条件。测试结果表明该放大器具有27.6 dBm的输出压缩点,对于W-CDMA应用,放大器的效率为34.1%,ACPR为-40.3 dBc。     

阻燃聚丁二酸丁二醇酯复合材料的制备及其阻燃性能研究

采用熔融共混技术,将次磷酸铝(AHP)和三聚氰胺氰尿酸盐(MC)引入聚丁二酸丁二醇酯(PBS),制备了一系列阻燃PBS复合材料,并采用极限氧指数、垂直燃烧、微型量热测试以及热失重分析研究了复合材料的阻燃性能以及热稳定性。结果表明,AHP可以有效提高PBS复合材料的阻燃性能;AHP与MC复配可以进一步提高复合材料的阻燃性能,两者质量比为2∶1,添加量为20 %（质量分数,下同）即可使复合材料达到UL 94 V 0级别,极限氧指数达到29 %;AHP以及复合阻燃体系可以有效提高复合材料初始分解温度及其高温稳定性。     

一种应用于InGaP/GaAs HBT射频功率放大器的在片温度补偿电路

A new on-chip temperature compensation circuit for a GaAs-based HBT RF amplifier applied to wireless communication is presented.The simple compensation circuit is composed of one GaAs HBT and five resistors with various values,which allow the power amplifier to achieve better thermal characteristics with a little degradation in performance.It effectively compensates for the temperature variation of the gain and the output power of the power amplifier by regulating the base quiescent bias current.The temp...