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采用脉冲电化学腐蚀法,以n型单晶硅为衬底制备多孔硅(n—PS),通过扫描电镜(SEM)、室温500—700nm范围内荧光光谱,系统研究腐蚀时间、占空比和脉冲频率对n-PS的结构形貌和可见光区室温光致发光特性(PL)的影响,结果表明,相比直流电化学腐蚀方法,脉冲腐蚀能获得孔径分布均匀且发光强度更高的多孔硅;随腐蚀时间、占空比和脉冲频率等腐蚀条件的变化,其发光峰位及发光强度均有明显改变;当等效腐蚀时间为30min、占空比为0.5、脉冲频率为10Hz时,制备的n—PS的PL强度较高,发光性能较好。 相似文献
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