In2O3基纳米材料气敏性能研究综述

In2O3半导体纳米材料由于具有较高的响应灵敏度、较快的响应-恢复时间,是气敏领域的明星材料,得到了广大研究者的青睐。然而,In2O3气敏材料由于化学组份单一往往催化能力有限,气敏性能不太理想(灵敏度较低、相应的恢复时间较长、功耗较高),严重限制了其在日常生产生活中的应用。实验证明:对单一的气敏材料修饰改性可以有效提升材料的气敏性能。国内外广大研究者相继对In2O3进行了大量的研究工作并取得了显著的成果。综述了In2O3气体传感器最新的研究进展,对近几年In2O3半导体纳米材料发展存在的问题及改性方法进行概括,并对以后的发展进行了展望。     

表面活性剂改性Fe3O4对As(Ⅴ)和As(Ⅲ)的吸附（急）

利用三种构型的阳离子表面活性剂〔十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、二亚甲基-1,2-二(N-十二烷基-N，N-二甲基溴化铵) (Gemini 12-2-12)和溴化十烃季胺(Bola)〕分别修饰Fe3O4纳米颗粒，制得Fe3O4@CTAB、Fe3O4@Gemini和Fe3O4@Bola纳米颗粒(三者统称Fe3O4@surfactants)。将其用于水中As(Ⅴ)和As(Ⅲ)的处理。通过XRD、TEM、FTIR和磁性测量系统(VSM)对其形貌进行了表征，同时对As(Ⅴ)和As(Ⅲ)的吸附进行吸附动力学、吸附等温模型拟合和吸附行为研究，并考察了Fe3O4@surfactants的吸附-解吸再生循环性能及结构稳定性。结果表明，Fe3O4@surfactants对As(Ⅴ)的吸附效果均高于As(Ⅲ)，吸附符合准二级动力学模型和Langmuir吸附等温模型，且Gemini 12-2-12表面活性剂所修饰的Fe3O4纳米颗粒的吸附容量最大。该吸附过程的吸附驱动力主要来自阳离子表面活性剂分子在固液界面的排列行为、表面活性剂头基与阴离子的静电作用以及尾链与As(Ⅴ)、As(Ⅲ)之间的配位作用。以去除效率较高的As(Ⅴ)进行循环实验，经过5次吸附-解吸循环实验后，Fe3O4@surfactants对As(Ⅴ)的吸附率依然维持在85%左右，且纳米颗粒回收率均在90%以上。     

g-C3N4基复合纳米材料光催化性能研究进展

g-C₃N₄可见光利用率高,具有非常好的光催化性能,是一种新型的无金属半导体光催化材料,然而电导率低,易团聚,光生载流子容易复合限制了其在实际生产中的应用。为进一步提高g-C₃N₄基复合材料的光催化性能,研究者做了大量修饰工作,并取得显著成果。本文主要从半导体材料耦合(细分为原子层沉积法和三元纳米材料复合)、贵金属修饰和量子点敏化三个方面概括了近年来对g-C₃N₄的修饰改性工作,探究了g-C₃N₄基复合材料在光催化降解有机污染物、光解水制氢、催化“记忆”效应和降解重金属等不同领域方面取得的成效。指出g-C₃N₄基复合材料发展面临的问题,最后对g-C₃N₄基复合材料未来的发展提出了展望。