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1.
工业VO2薄膜的电阻突变及其稳定性 总被引:4,自引:0,他引:4
以工业V2O5为原料,采用热分解法和还原法制备工业VO2薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明:1)VO2薄膜的电阻突变达到了2.0-3.4个数量级,突变温度约为35℃,比纯VO2薄膜突变温度约低33℃;2)石英玻璃上的VO2薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大;3)H2还原法制备的VO2薄膜电阻突变数量级比N2热分解法制备的大;4)在自然放置条件下短时间内VO2薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变,其突变数量级降低不多,突变温度滞后几乎没有变化;5)同等条件下石英玻璃上的VO2薄膜的电阻突变数量级降低较小、稳定性较好。 相似文献
2.
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4.
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6.
高炉喷煤用旋流分配器性能试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对开发的三种废流分配器的性能进行冷态试验研究。试验结果表明,长柱形放心流分配吕的分配性能最好,当气相流量在于60m^3/h时,分配偏差可小于5%;增大气相流量,适当增加柱形旋流分配器的柱体部分高度,可降低分配偏差。 相似文献
7.
采取铝热原位合成的方法,以钛白粉和铝粉为原料原位合成制备TiAl/Al2O3复合材料。通过XRD分析了不同温度下反应过程及烧结样品的物相形成规律。分析结果表明:在750℃条件下反应时,原料中心部分变成了黑色,反应生成了钛的低价氧化物。随着温度的升高逐渐形成了部分TiAl金属间化合物和Al2O3。当温度达到1250℃时,反应比较充分,主要生成了TiAl金属间化合物和Al2O3,原位合成了TiAl/Al2O3复合材料。 相似文献
8.
9.
闭环气流磨粉碎氢化钛粉 总被引:1,自引:0,他引:1
随着钛及钛合金粉末冶金技术的快速发展,采用氢化钛粉代替钛粉作为主要原料制备粉末冶金钛材料已成为国内外的研究热点。本文研究了闭环气流磨系统粉碎氢化钛的工艺过程及特点,并采用SEM、化学分析以及激光粒度测试分析等表征所制备氧化钛粉的形貌、氧含量及粒度分布。结果表明:氢化钛经闭环气流磨后,粒度(D_(50))达到5.94μm;不同粒径(粉末粒径分别为250,150,75和48μm)的氢化钛粉在闭环气流磨分级轮频率为200Hz下,粒度(D_(50))达到10μm以内,且粒度分布区间较窄;而同一粒径(250μm)的粉末在闭环气流磨不同分级轮频率下(80,100,120,140,160,180和200 Hz)分级后,粉末的粒度(D_(50))和粒度分布区间随分级轮频率的降低而增大和变宽;因为闭环气流磨系统是封闭的循环回路,采用高纯氩气作为磨料介质,因此物料粉碎前后的增氧量低。 相似文献
10.