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对硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管(SBD)的界面性质作了AES谱和EBIC像分析,估算了Pd_xSi_y层厚度和肖特基结的结深。在室温下由示波器响应脉冲波形估算SBD对1.06μm激光的响应时间小于1ns。从深能级瞬态电容谱仪得到的DLTS谱峰计算出样品表面空间电荷区中深能级的能级位置E_T—E_V=0.33eV,俘获截面σ_p(248K)=4.4×10~(-18)cm~2,深能级的平均杂质浓度N_T=0.085(N_A—N_D)。讨论了激光响应脉冲波形后沿变缓现象。 相似文献
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本实验首先测量了N型、(111)面、掺Te2×10~(15)cm~(-3)InSb晶片的机械损伤层,然后用阳极氧化等方法将其做成MOS结构,测量和分析其高频C-V特性,并采用中心偏压加窄摆幅电压的来回慢扫测得无滞回效应的C-V曲线。最后,用Nakagawa式算出界面态密度为2×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。 相似文献
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采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射过量10%Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜.采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理.PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为P=2.3×10-8C·cm-2·K-1,ε=500,tanδ=0.02,Fd=0.94×10-5Pa-0.5. 相似文献
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CCD的控制能力,即单位电极面积所能处理的最大电荷密度Q_(max),是CCD的一个重要参数。我们知道,控制能力差就可能限制窄带半导体IR CCD的元数和探测率。IRCCD控制能力较小的原因是半导体的隧道击穿,它限制了时钟电压的允许值。带间隧道电流密度J_x取决于半导体的电场强度E_x和禁带宽度E_o式中C为由带间跃迁矩阵单元所决定的常数。由于带间隧道效应与E_x密切相关,因而带间隧道效应具有击穿的特性。公式(1)是用处在均匀场中的半导体推导出来的。但是,如果eφ_(?)>>E_(?)(e为电子电荷,φ_s为表面电位),通常,这一点在CCD中是能够实现的,那么,就可以用公式(1)来计算空间电荷区中的隧道电流。在这个区域内电场是不均匀的。这样,将(1)式沿空间电荷区宽度积分,便可算出CCD中的总的隧道电流密度。 相似文献
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兵器工业集团公司第二一一研究所研制的 8~ 1 2 μmIR CRT视频 /红外动态图像转换器 ,于1 999年 1 2月 1 6日通过兵器工业集团公司科技部主持的专家技术鉴定。8~ 1 2 μmIR CRT转换技术是一项难度极高的研究课题。通过三年多的攻关 ,成功解决了 8~1 2 μm红外磷光体材料 ,IR CRT管设计 ,大口径锗窗口真空封接 ,靶屏冷却 ,高压隔离及高性能电子枪等技术难题。制造出了国内首台 8~ 1 2 μmIR CRT转换器样机 ,所产生的红外动态图像稳定 ,清晰。转换器的场频 5 0Hz,时间常数 1 3ms,空间分辨率大于 2 0 0TVL … 相似文献