射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

相对介电常数大于100的BST(钛酸锶钡)薄膜

南京电子器件研究所采用 RF磁控溅射法成功研制出室温下相对介电常数高于 1 0 0的 BST薄膜。采用具有自主知识产权的工艺技术制作了大直径 BST溅射靶材 ,用这种靶材制作 Pt/BST/Pt薄膜电容 ,在 Si/Si O2 衬底上溅射 BST,其膜厚典型值 2 80 nm。该技术采用了在 RF磁控溅射 BST时     

冶金固定资产设备重估成新率的确定

近几年刚起步并迅速发展的我国新兴产业——资产评估业已成为进行社会经济管理的重要手段,同时具何重要的经济价值和社会价值。 在固定资产机器设备重估中如何确定成新率已是一项重要的课题,也是多年来探索中所得到符合实际的技术数据。冶金企业机器设     

网络规划技术在井下泵站设备安装中的应用

1 引言网络技术是一种着眼于任务总进度的组织管理技术。它的基本原理是把一项复杂的任务分解成许多作业,按照先后顺序,工时多少,绘制网络图作为数学模型、统筹规划,对整个工程系统进行定量计算分析,组织协调和控制,找出关键线路和时差,以达到最有效地利用资源(人力、物力、资金),并用最少的时间来达到整个系统的预期目标,保证任务按期或提前完成。网络技术已为越来越多的工程所采用,但在矿山设备安装中应用该技术的实例不多,现将我矿第三采矿场五号井-330m(+50m)泵站机电设备安装应用实例介绍如下,以求指教和参考。     

电泳法制造玻璃钝化微波半导体器件

本文系统地阐述了玻粉电泳沉积的基本理论和规律,并推导了玻粉电泳沉积的动力学方程;论述了用此技术制造微波半导体器件的工艺原理、特点和途径。所制器件寄生参量小、可靠性高,在毫米波电路中显示出极大的优越性。     

PHC管桩的应用及低应变检测实录

介绍PHC管桩在泉州地区的应用及施工中常见的问题，分析反射波法缺陷波形特征产生的原因。     

谈谈建材实物情报工作

建材工业是国民经济的支柱产业之一,建材情报工作已成为我国科技情报工作体系的重要组成部分。目前,建材情报信息的获取主要是来自于文献情报源的渠道。文献情报按不同的物质载体主要分为印刷型、缩微型、视听资料型、计算机阅读型等形式,其中从电子计算机网络获取建材信息已成为现代信息社会的主要信息来源。     

转子式叶片泵的低噪声定子内轮廓过渡曲线研究

对现有叶片泵常见的定子内轮廓过渡曲线以及叶片与定子内轮廓的冲击特性进行分析比较,根据标准圆弧与过渡曲线接触点处的速度、加速度、加速度率为零的无冲击条件,在常见的定子内轮廓过渡曲线基础上,提出一种综合性能较好的低噪声5次方组合过渡曲线方程,可为现有叶片泵的改进设计提供一定参考。     

DCDC—20GHz射频MEMS开关

描述了 DC— 2 0 GHz射频 MEMS开关的设计和制造工艺 .开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构 ,形成一个单刀单掷 (SPST)并联设置的金属 -绝缘体 -金属接触 .开关通过上下电极之间的静电力进行控制 ,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容 .测试结果如下 :射频 MEMS开关驱动电压约为 2 0 V,在“开”态下 DC— 2 0 GHz带宽的插入损耗小于 0 .6 9d B;在“关”态下在 14— 18GHz时隔离大于 13d B,在 18— 2 0 GHz时隔离大于 16 d B.本器件为国内首只研制成功的宽带射频 MEMS开关     

衬底同步加热溅射BST薄膜的研究

介绍了一种衬底同步加热射频磁控溅射制备BST(BaxSr1-xTiO3)薄膜的新方法,讨论了BST薄膜的晶化效果对介电常数的影响,分析了薄膜的居里温度和εr-V铁电性能.XRD测试结果表明制备的BST薄膜具有完整的钙钛矿晶体结构,相对介电常数超过150,介质击穿强度大于1.3 MV/cm.使用这种方法不需要专门的退火工艺,就可以制备晶体结构完整的高介电常数BST薄膜.