射频磁控溅射法制备La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-σ电解质薄膜的研究

采用射频磁控溅射法成功地在多孔La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-σ(LSCM7355)阳极基底上制备了致密的LSGM电解质薄膜层.研究结果表明,当溅射功率为210W、基底温度为300℃、溅射气氛氩气压强为5Pa、溅射时间为12h,得到表观形貌较好、厚度约为10μm的LSGM电解质薄膜.在1000℃空气气氛中...     

超高分子量聚乙烯/石墨包覆纳米铜复合导电材料研究

在NaBH4/EDA体系中还原CuCl2石墨层间化合物合成了石墨包覆纳米铜复合填料(GECNP).以GECNP为导电填料,采用球磨共混-热压成型工艺制备了超高分子量聚乙烯(UHMWPE)基复合材料.UHMWPE/GECNP复合材料的X射线衍射(XRD)分析表明:在制备过程中无新相生成;扫描电镜(SEM)观察发现:其微观结构均匀,GECNP以纳米片状分散于基体中,构成导电网络;有关导电性的研究表明:复合材料导电机制符合聚合物基复合材料的导电渗滤理论,渗滤阈值为8.766%,低于常规碳系填料.当GECNP体积浓度为12.8%时,体系电导率最高,为7.55S/cm,高于石墨纳米片填料.