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将添加质量分数分别为2%、4%、6%和8%的纳米ZnO掺入氧化锌压敏电阻中,利用纳米粒子的高活性阻止界面迁移,增加压敏电阻的晶界界面数,促进阀片的成分均匀化和致密化,有效提高阀片的电位梯度和能量耐受能力。添加的纳米ZnO的质量分数从2%增加至8%时,电位梯度从347 V/mm增加至395 V/mm,同时8/20μS的残压比下降,2 ms方波冲击电流从121 A增加至149 A。 相似文献
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通过使用高频等离子法制备纳米材料,研究纳米材料对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影响。结果表明,烧结温度在1 080~1 120℃范围内可制备高性能的氧化锌压敏电阻陶瓷,其阀片的电位梯度达到429 V/mm,漏电流为6μA,非线性系数为39,能量吸收密度为296 J/cm3,性能远高于传统阀片。 相似文献
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采用不同烧结温度(1 000~1 120℃)制备ZnO压敏电阻瓷,通过扫描电镜分析显微结构,探讨烧结温度对ZnO压敏电阻瓷小电流性能的影响机理。结果表明:烧结温度在1 020℃、保温90 min时,ZnO压敏电阻瓷的性能较好,电位梯度达到408 V/mm,漏电流为1.8μA,非线性系数为37;烧结温度在1 000℃时,电位梯度可达475 V/mm。 相似文献
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