白光LED用Ce，Sm共掺杂YAG单晶荧光材料的光谱性能

对白光发光二极管（light-emitting diode,LED）用Y3Al5O12（YAG）单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究。采用提拉法生长了白光LED用Ce：YAG及Sm,Ce：YAG晶体,并通过吸收光谱、激发光谱和发射光谱等对晶体的光谱特性进行表征。结果表明：Ce：YAG单晶作为荧光材料被发射波长460 ...     

白光LED用新型Eu或Gd共掺杂的Ce:YAG单晶荧光材料的光谱性能研究

开展了白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能研究,采用提拉法生长Eu,Ce:YAG及Gd,Ce:YAG晶体,并通过吸收光谱,激发、发射光谱及电光性能等对晶体材料的光谱特性进行表征。结果表明,Eu或Gd共掺杂的Ce:YAG单晶荧光材料均可以被波长460nm左右的蓝光芯片有效激发,产生一个范围为480～650nm的宽峰发射。Eu3+或Gd3+共掺杂会对Ce3+离子的发光产生影响:Eu3+离子的掺杂,会对Ce3+离子的发光产生淬灭效应;而Gd3+离子取代基质Y3+离子可以使Ce3+离子的发射峰发生红移。