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目的 通过向含Fe2+、Mn2+水中投加ClO2和混凝剂,考察ClO2对水中Fe2+、Mn2+的去除及其影响因素.方法 采用静态模拟试验,利用ClO2的强氧化性对水中Fe2+、Mn2+去除;试验过程中分别改变ClO2含量,混凝剂投加量、氧化时间及pH值,考察该工艺的最佳运行条件.结果 ClO2对Fe2+、Mn2+的去除十分有效,很容易将Fe2+、Mn2+离子氧化成不溶于水的Fe(OH)3和MnO2*ClO2投加量、原水pH值、预氧化时间和混凝剂投加量对Fe2+、Mn2+去除有很大的影响.结论 当原水铁、锰离子质量浓度分别为5 mg/L时,二氧化氯最佳投加量分别为5 mg/L和10 mg/L,ClO2最佳氧化时间为10 min和40 min,最佳混凝剂的投加量分别为1 mg/L和2 mg/L,最佳pH值为7~9,对铁、锰离子的去除率分别为94.0%和90.8%.当Fe2+、Mn2+同时存在的条件下,有利于锰离子的去除. 相似文献
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通过模拟小世界网络的两种经典构造算法SW模型和M模型,来研究两个重要参数:平均最短路径长度和平均簇系数。在实验中通过调整它的几个参数N、k、P来求得对应网络的平均最短路径长度和平均簇系数,并画出相应的变化曲线。 相似文献
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政府行为推动企业技术创新的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
技术创新是一项系统工程,也是企业持续发展的动力。在企业的技术创新活动中,政府行为起着重要的推动作用,因此政府应当制定完善的相关政策、法规和制度,为促进企业技术创新提供良好的外部发展环境。 相似文献
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电子快门与CCD图像传感器抗晕的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并分析1 PW层硼掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并对CCD纵向抗晕结构进行优化结构。而电子快门就是利用纵向抗晕的工作原理而发展的。 相似文献
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CCD图像传感器抗晕技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,列建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:CCD电极下的电荷容量随n沟道磷掺杂浓度的增加而迅速提高,但掺杂浓度的增加受期间体内击穿场强的限制,通过分析比较,取n沟道磷掺杂浓度为3×10^16cm^-3。时抗晕效果较好,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。 相似文献
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为了获得n-GaN的低接触电阻的欧姆接触,采用Cr/Au/Ni/Au金属化系统与n—GaN形成欧姆接触,并对其不同温度下的接触电阻率进行了测试分析.室温下Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率为0.32mΩ·m2。随着温度的升高,接触电阻率略有增加,在300℃时接触电阻率为0.65mΩ·cm2,因此此欧姆接触适合在高温下使用. 相似文献