退火工艺对Bi2Te3薄膜近红外光响应性能影响的研究

采用物理气相传输法(PVT)在p-Si衬底上制备了n-Bi₂Te₃薄膜。在不同温度下对薄膜样品进行退火处理,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜以及光致发光光谱对退火处理前后的薄膜形貌与微观结构进行表征。研究了退火温度对Bi₂Te₃薄膜形貌结构以及红外光响应能力的影响。结果表明在200～400℃的温度区间内,退火温度为250℃时可有效提高薄膜结晶度,细化晶粒,减少薄膜缺陷,降低缺陷能级对Bi₂Te₃薄膜红外光响应性能的影响,使得在250℃获得的高结晶质量的Bi₂Te₃薄膜的红外光响应性能均优于其他的退火温度获得Bi₂Te₃薄膜和未处理的,表明采用PVT方法制备的Bi₂Te₃薄膜的最佳退火温度是250℃。