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以(Zr0.8,Sn0.2)TiO4为基,通过研究Nd2O3(0～0.20 mol%)掺杂(Zr0.8,Sn0.2)TiO4微波介质陶瓷对物相结构、形貌和介电性能的影响,发现随着Nd2O3掺杂量的增加,(Zr0.8,Sn0.2)TiO4介质陶瓷的晶格参数、晶粒尺寸变化微弱,Nd3+几乎不影响(Zr0.8,Sn0.2)TiO4陶瓷阳离子有序生长,而是在(Zr0.8,Sn0.2)TiO4介质陶瓷的晶界形成钉扎,通过降低介质外在损耗,有效提高陶瓷材料的Q×f值至45000(@15 GHz),并提高容量温度稳定性。 相似文献
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