基于天空区域分割的输电通道图像暗原色去雾方法

输电通道的实时监测系统会受到恶劣天气情况的影响,尤其是北方冬季有雾天气较频繁,因此,去雾处理是实时监测系统的重要预处理环节.针对图片中存在大量天空区域或白色物体会导致原方法失效的问题,在暗原色先验方法的基础上开展研究,提出了基于天空区域分割的改进方法,获取了优化后的大气光值和透射率值,从而实现了有雾天气下的有效监测.经...     

有雾天气下输电线路山火烟雾检测方法研究

输电线路多处于环境复杂的山林中,早期山火发生时经常以烟雾的形式呈现,而在有雾状况下的山火烟雾检测方法的研究却很少见.针对有雾天气状况时的山火检测,提出一种去雾图像增强方法,首先对图像局部均衡化处理,再对全局利用改进的单尺度Retinex方法做增强处理,并使用基于卷积神经网络的山火烟雾检测网络来检测早期山火发生时产生的烟...     

基于Django的博客系统开发研究

介绍了Web开发基本概念和Python最经典的Web编程框架Django的原理,并实现了一个基于Django的博客网站.     

高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应

基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件设计的可靠性尤为重要.高压器件的ISUB随栅极电压变化在峰值后再次升高.然而在普通低压器件的经典特征曲线中,ISUB仅呈现一个峰.高压器件的ISUB再次升高及其相关的可靠性问题成为新的研究热点.最广为接受的理论(Kirk effect)认为,ISUB再次升高是因为栅控沟道内的经典强电场区移动到沟道外n 漏极的边缘.本文与之不同,认为高压器件ISUB的再次升高并非因为经典强电场区的移动,而是因为在n 漏极边缘出现独立的强电场区,和经典强电场区同时并存,这就是双强电场模型.该双强电场模型仅有经典强电场的ISUB方程不适用于高压器件,新的ISUB方程也由此双强电场模型推导出来,公式与实验结果吻合.进一步地,双强电场模型引进了空穴在氧化层的陷落机制,解释了高压器件的热载流子注入效应.     

MOCVD法制备ZnO同质发光二极管

在n型ZnO体单晶片上, 首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜，制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件；在室温下，观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.     

基于异常检测的输电线路山火检测方法研究

输电线路往往建设在山林、野外等人烟稀少的地区,若该区域附近发生山火,将严重威胁社会经济和人民的安全.早期山火多以烟雾的形式呈现,通常使用固定摄像头对其进行实时监控.在分析固定摄像头拍摄画面特点的基础上,提出了基于网格划分的图像特征提取方法,并采用高斯滤波对特征进一步处理,通过异常检测的方法检测监控视频差值矩阵中的异常点...     

浅谈石化企业循环冷却水系统节能降耗途径

石化企业是我国经济发展中的支柱性企业之一,伴随着我国城市建设的发展,石化科技也得到了较大的进步。本文主要针对石化企业循环冷却水系统节能降耗的问题进行分析和讨论,从石化企业循环冷却水系统的发展概况开始,对循环水系统的加工成本进行了分析,通过分析找到循环水系统加工成本过程中的问题。根据石化企业循环冷却水系统节能降耗中存在的问题,笔者分别针对系统中耗水量和耗电量的减少提出了建议措施并加以分析,以求从各个方面进行对石化企业循环冷却水系统节能降耗问题进行深入浅出的分析并提出合理的建议措施。旨在为日后我国石化企业在进行循环冷却水系统节能降耗工作的过程中提供可供参考的措施意见和理论知识。     

MOCVD法制备ZnO同质发光二极管

在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.     

高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应

基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件设计的可靠性尤为重要.高压器件的ISUB随栅极电压变化在峰值后再次升高.然而在普通低压器件的经典特征曲线中,ISUB仅呈现一个峰.高压器件的ISUB再次升高及其相关的可靠性问题成为新的研究热点.最广为接受的理论(Kirk effect)认为,ISUB再次升高是因为栅控沟道内的经典强电场区移动到沟道外n+漏极的边缘.本文与之不同,认为高压器件ISUB的再次升高并非因为经典强电场区的移动,而是因为在n+漏极边缘出现独立的强电场区,和经典强电场区同时并存,这就是双强电场模型.该双强电场模型仅有经典强电场的ISUB方程不适用于高压器件,新的ISUB方程也由此双强电场模型推导出来,公式与实验结果吻合.进一步地,双强电场模型引进了空穴在氧化层的陷落机制,解释了高压器件的热载流子注入效应.