掺杂β-C_2S的正电子湮没和水化研究

用正电子湮没技术(PAT)研究了掺Na_2O和P_2O_5的β-C_2S正电子寿命谱。按照正电子捕获理论对实验所得的寿命谱参数与硅酸二钙微观结构的关系进行了讨论。结果表明,长寿命成分τ_2(约470ps)相当于钙空位缺陷对正电子的捕获。长寿命成分τ_2的强度I_2随Na~+掺量增加而减小,随P~(5+)掺且增加而增加。证实Na~+进入Ca的位置并产生阴离子空位,而P~(5+)进入Si~(4+)的位置并产生Ca~(2+)空位;随Na~+或P~(5+)掺量增加,阴离子空位或Ca~(2+)空位浓度增加。实验表明,正电子湮没技术是研究掺杂β-C_2S微观结构缺陷的一种有效手段。 本文还就硅酸二钙烧成和水化活性与掺杂的关系进行了研究和讨论。     

用正电子湮没方法测定铌酸钾晶体的色心浓度

铌酸钾(简称KN)晶体是一种优良的非线性光学材料。它不仅在激光技术应用上有广阔的前景,而且对晶体缺陷、结构相变等基础理论研究亦可提供丰富的信息。 制得的KN晶体常会呈现不同的颜色,认为这种颜色是色心引起的,建议用退火方法消除之。现在缺少一种简便的测量KN晶体色心浓度的方法。我们用正电子湮没方法测量了:①无色、淡蓝、蓝色(化学成份相同)三种KN晶体的寿命谱;②同一块KN晶体退火(1000℃,10小时)前、后的正电子湮没谱。③同一块KN晶体辐照前、后的正电子湮没谱(辐照处理条件是,X光管电流200mA,功率12kW,辐照时间80min),测量结果如下。     

Y-Ba-Cu-O高T_c超导体的核技术研究

报道用穆斯堡尔谱学和X射线衍射研究YBa_2(Cu_(1-x)Fe_x)_3O_7的结构和超导性质以及铁置换的影响;用正电子湮没技术研究Y-Ba-Cu-O高T_c超导体,发现T_c区域正电子湮没寿命谱性质异常;用质子和电子束分别对Y-Ba-Cu-O超导体的体材和不同衬底的超导薄膜进行辐照试验,获得了一些新的结果。     

正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱的自动获取和处理技术

本文介绍的正电子湮没寿命谱和正电子湮没多普勒展宽谱的数据自动获取和处理技术使Can-berra S-40或S-35型多道分析器与IBM-PC/XT微型计算机之间实现了相互通讯及全套的解谱数据处理和原始数据存盘、计算结果存盘及列表绘图等自动获取和处理数据的工作。使IBM-PC/XT微型计算机用于正电子湮没寿命谱仪或多普勒展宽谱仪的在线处理工作得以实现。     

低本底~(14)C年龄测定的自动数据获取和处理

本文介绍的低本底~(14)C年龄测定的自动数据获取与处理装置能直接给出样品,~(14)C年龄、年龄的标准偏差。实现了测量、数据处理和换样全自动化。     

SI~-、n-GaAs正电子湮没特性的研究

用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响.     

不同煅烧条件下CaO活性的研究

用正电子湮没技术、X射线衍射线型宽化效应和扫描电镜等手段研究了不同煅烧条件下CaO的活性及其变化规律。结果表明,快速煅烧条件下的新生态CaO不仅晶粒尺寸小、缺陷浓度高,而且晶粒生长快、晶体缺陷浓度随煅烧时间延长递减迅速。     

硅橡胶中的正电子湮没寿命谱分析

硅橡胶是一种特种橡胶材料,用途十分广泛。我们用正电子湮没寿命谱方法对硅橡胶材料进行了测量分析。经过分析,第一寿命τ_1看作为自由正电子湮没和p-Ps自湮没的结果;第二寿命τ_2为正电子处在生胶大分子缠绕、交叠处和高温硫化胶交联处湮没的结果,第三寿命τ_2应为样品中形成的o-Ps的Pick-off湮没的结果。正电子在硅橡胶中的寿命参数与硅橡胶的分子量、交联密度、大分子链的缠绕交叠等情况紧密相关。     

用正电子湮没技术研究掺杂粉末β-C_2S的缺陷

对硅酸二钙(Ca_2SiO_4简写为C_2S)掺杂,可以影响它的微观结构、多晶转变、烧成速度等。硅酸二钙是干燥的坚硬粉末,不易压制成型。我们采用垂直放置闪烁探头的测量方法,测量了β-C_2S粉末的正电子湮没寿命谱。结果表明,中间寿命τ_2(约470ps)组分,相应于正电子在钙空位处束缚态湮没。I_2随Na掺量增大而减小,随P掺量增加而增大,表明Na进入Ca位置并产生阴离子空位,P~(5+)进入Si位置并产生Ca~(2+)空位。