不同玻璃料对PTC陶瓷性能的影响

研究了AST和ASL两种玻璃料对PTC陶瓷性能的影响,发现在1280℃～1340℃的烧成范围内,添加ASL的样品其室温电阻要比添加AST的样品大,而其电阻—温度特性要比添加AST的样品好,且两种样品的晶粒尺寸及晶粒均匀度有明显差别.研究结果表明,两种样品性能上的差异与它们显微结构上的差异有着密切关系.     

铌铁酸铅PFN的结构无序及介电相变特性

运用高分辨透射电镜显微技术观察到ＰＦＮ中Ｂ位离子呈无序排列，不易形成有序结构，在性能上，ＰＦＮ的介电常数ε和介电损耗ｔｇδ均很大，相变扩散度小；相应时的介电行为，热容和热膨胀的变化比较特殊。     

铌酸镁的合成与铌镁酸铅基电致伸缩陶瓷性能关系研究

研究了不同温度MgNb2O6的原始合成反应,结果显示游离MgO的含量随MgNb2O6合成温度的升高而减少．首先合成MgNb2O6,但合成时并不加入过量MgO,合成温度为1050℃,由此制备了一种PMN基电致伸缩陶瓷．在X射线衍射检测极限内,并未发现此PMN基电致伸缩陶瓷存在焦绿石第二相．对该陶瓷施加1kV／mm频率为0．07Hz的准静态电场,在室温下其纵向电致应变（S11）达1．05×10－3而滞后仅为6．8％．还研究了MgNb2O6的合成温度与PMN基陶瓷电致伸缩性能的关系,它表明PMN基陶瓷的居里温度Tc随MgNb2O6的合成温度的提高而增高,从而引起介电常数的下降和滞后增大．     

PMN基电致伸缩陶瓷电致应变温度特性

研究了扩散相变中心温度分别为４０℃和６５℃的两种Ｌａ－掺杂ＰＭＮ基陶瓷在其扩散相变温度范围的电致应变、电致应变随电场（Ｓ～Ｅ）的滞后特性和剩余应变效应．结果发现,对于扩散相变中心温度为４０℃的材料在０～１ｋＶ／ｍｍ单向电场驱动下;从－１０～６０℃电致应变和滞后都随温度的升高而减小;对另一种材料无论由±１ｋＶ／ｍｍ交变电场或由０～１ｋＶ／ｍｍ单向电场驱动,温度从１３～４１℃变化均出现电致应变峰值,而滞后和剩余应变随温度的升高而减小．对以上实验结果本文作了详细讨论．     

PMN－PT陶瓷材料的微观结构、介电性能及电致伸缩效应的研究

本文研究了ＰＭＮ－ＰＴ陶瓷材料微观结构上Ｂ位离子的有序－无序排列情况与宏观的介电性能、相变弥散及电致伸缩效应的联系．ＰＭＮ－ＰＴ介电常数很高，在室温附近发生弥散相变，电致伸缩效应显著，形变量达１×１０－３．采用退火处理的方法，可提高ＰＭＮ－ＰＴ的Ｂ位有序度，展宽弥散相变温区，改善材料的热稳定性和滞后现象．     

高性能铌镁酸铅-钛酸铅定向压电陶瓷的研究

用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0．70Pb(Mg1／3Nb2／3)O3—0．30PbTiO3高性能定向压电陶瓷．该陶瓷[112]方向的取向度约为35％，准静态压电常数d33约为1500～1600pC／N，耦合系数κt～0．51，κ33～0．82，22kV／cm时的场致应变约为0．23％。