农用低成本超强吸水剂的制备工艺

概述了合成类吸水树脂在农用上的进展,提出采用低成本且工艺成熟的水溶液法,以丙烯酸(AA)、丙烯酰胺(AM)为基体、接枝可溶性淀粉进行三元单体共聚,经钠基膨润土改性,复合引发剂、复合交联剂制备低成本、易降解的合成类吸水性树脂。经实验改进和工艺条件优化后,树脂吸去离子水倍率可达1 940.9 g/g,吸自来水899.8g/g。采用红外光谱仪、热重分析仪、扫描电镜、X射线衍射仪等分析手段对合成树脂进行了分析表征,证实了产物为淀粉、丙烯酸及丙烯酰胺的共聚物。     

太阳能硅制备过程湿法提纯SiO2的工艺优化

考察了HF质量分数、H2C2O4质量分数、HNO3质量分数、酸浸时间、粒径、液体质量与固体质量的比值(简称液固比,下同)等因素对混酸法提纯SiO2工艺过程的影响,利用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、场发射扫描电子显微镜(SEM)进行表征。结果表明,最佳工艺条件为:w(HF)=2%、w(H2C2O4)=3%、w(HNO3)=30%、酸浸时间4 h、粒径100～120目、液固比4∶1、酸浸温度30℃。Fe、Al、Ca、P杂质的去除率分别达到99.99%、14.02%、73.27%、60.00%,经混酸法处理后SiO2中杂质总量的质量分数降至1.465×10-4。     

湿法提纯制备太阳能级硅过程的研究

采用盐酸和氢氟酸两步法湿法提纯制备太阳能级多晶硅,当工艺条件为w(HCl)=8%,w(HF)=6%,可使铁中杂质质量分数降到26×10-6,去除率达到99.1%;铝中杂质质量分数降低到60×10-6,去除率为82.3%。分析和讨论了酸浸过程中硅晶体的形貌和结构的变化。FESEM图像表明杂质在硅的表面呈现集中链状分布,晶粒沿着高应力和缺陷区直线式分裂;XRD数据显示,在反应过程中,杂质的析出对硅晶格结构的影响有限,晶格因温度增加、应力不平衡等因素反而呈现膨胀的趋势。研究和分析湿法冶金中硅晶体结构和形貌的变化,对于了解酸浸过程反应机理,提高湿法提纯的除杂效率,优化太阳能级硅生产工艺具有重要意义。