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针对目前音乐播放系统的空间和时间受限问题,设计并实现了一种基于移动端的智能音乐播放系统。该系统由移动端软件APP和服务端两部分构成,服务端包括路由器、智能网络机顶盒和音响设备,具备定时播放和移动端实时控制播放的功能。该系统是采用基于STUN(Simple Traversal of User Datagram Protocol over NATs)的网络地址转换(Network Address Translation,NAT)穿透方式的远程控制以及家庭电视网络机顶盒来实现的。它不仅可以实现家庭音响的定时播放,还能通过移动端来远程控制音乐的播放。此外,可以实现歌曲的远程更新和歌曲播放时间的随意控制及更改。实验结果表明,该系统效果良好,具有广阔的应用前景及商业价值,可应用于家庭、商场、学校等有特定需求的环境。文章以家庭音乐播放系统为例进行设计说明。 相似文献
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在含双氧水(H2O2)10 m L/L和氨三乙酸(NTA)20 mmol/L的溶液(p H=9)中分别加入0.5、1.0、1.5和2.0 mg/L的18-冠醚-6,研究了在弱碱性条件下18-冠醚-6对金属钴(Co)电化学腐蚀的影响。结果表明:随着18-冠醚-6质量浓度的增加,钴与氮化钛(Ti N)的腐蚀电位差先降低后升高,当18-冠醚-6为1.0 mg/L时最低,而钴的腐蚀电流密度越来越小。通过扫描电镜(SEM)形貌表征和X射线光电子能谱(XPS)分析可以证实,18-冠醚-6的加入使钴表面的电化学腐蚀得到了有效抑制,显著改善了Co在化学机械抛光(CMP)后的表面状态。 相似文献
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钴(Co)作为10 nm及以下技术节点的铜互连极大规模集成电路(GLSI)的新型阻挡层材料,在阻挡层化学机械抛光(CMP)中易与铜(Cu)发生电偶腐蚀。本文采用电化学、CMP、静态腐蚀实验以及扫描电镜(SEM)表征方法,研究了弱碱性抛光液中螯合剂和氧化剂在Co/Cu电偶腐蚀中的协同作用。研究表明:抛光液中的氧化作用,使得Co和Cu表面生成一层由氧化物及氢氧化物组成的钝化膜,抑制了Co和Cu的静态腐蚀;多羟多胺螯合剂浓度增加,抛光液pH升高,Co和Cu表面钝化膜的生成加快;CMP过程中,Co和Cu腐蚀电位均有明显降低,去除速率均加快。抛光液组分为1.5 ml·L-1H2O2、0.1%FA/O螯合剂、30%AEO-9、5%硅溶胶(质量分数)时,Co的腐蚀电位低于Cu的腐蚀电位;研磨状态下,Co/Cu腐蚀电位差降到-6 m V,电偶腐蚀电流很小,极大地减弱Co/Cu电偶腐蚀。同时,Co的去除速率为130 nm·min-1,Cu的去除速率为76.5 nm·min-1,Co与Cu的静态腐蚀均不明显,可以很好地满足阻挡层CMP要求。 相似文献
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针对A/O工艺(厌氧好氧工艺)处理黑水结果不达标的问题,将A/O工艺与MBR工艺(膜生物反应器)进行组合,形成了A/O-MBR工艺(厌氧好氧-膜生物反应器组合工艺),为了明确A/O-MBR工艺对黑水中主要污染物的去除效果以及运行时的控制模式,搭建了全尺寸试验系统并进行了黑水处理试验。结果表明:在间歇曝气以及间歇回流的运行模式下,A/O-MBR工艺对黑水中的COD、NH3-N、TN去除率都达到了90%以上,对悬浮物以及粪大肠菌群的去除率都达到了99%以上,都达到了一级A标准;但出水TP的去除率为76%,仍需辅以化学处理。间歇曝气以及间歇回流的A/O-MBR工艺可以有效提高黑水中污染物的去除率,适合用于处理黑水。 相似文献