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1.
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起. 相似文献
2.
3.
中国移动经过多年有线接入光缆网大规模建设,建设重点由解决基站、家集客光缆接入向光缆网优化及建设思路调整转变,满足全业务运营网络和业务长久可持续发展.本文结合中国移动接入光缆网发展现状及基础资源短板,探讨全业务运营下接入光缆网优化流程及建设思路调整,具备一定的指导意义. 相似文献
4.
螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜结构特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术,以SiH4作为源反应气体在Si(100)和玻璃衬底上制备了纳米Si薄膜。通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)对所制备的材料结构和形貌等特性进行表征,分析了纳米Si薄膜结构随衬底温度变化的规律。实验结果表明,在较低的衬底温度(100-300℃)范围内,可以实现高晶化度纳米Si薄膜的沉积,颗粒大小在4-8nm之间,样品的晶化度随着衬底温度升高而升高,晶粒大小也随之增大,样品表面光滑,晶粒分布均匀。 相似文献
5.
根据确认的众多量测和众多目标跟踪窗之间的几何关系,引入确认矩阵并计算所有联合事件及其对应的参数,不论量测是否落入跟踪窗相交区域,根据JPDA算法计算每一个量测与其可能的各个源目标之间互联的概率。将互联的概率与Kalman滤波器相结合从而完成对每一个目标的预测和更新。理论及实验结果表明,该算法适用于序列图像密集杂波环境下的全程跟踪,并取得了一定的理论和仿真结果。 相似文献
6.
7.
8.
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al0.48Ga0.52N/Al0.54Ga0.36N多量子阱(MQWs)结构。通过双晶X射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和阴极荧光(CL)等测试技术,分别对样品的结构和光学特性进行了表征。在DCXRD图谱中,可以观察到明显的MQWs衍射卫星峰,通过拟和,MQWs结构中阱和垒的厚度分别为2.1和9.4nm,Al组分分别为0.48和0.54。在AFM表面形貌图上,可以观察到清晰的台阶流,表明MQWs获得了二维生长;与此同时,MQWs结构存在一些裂缝,主要原因为AlGaNMQWs结构和下层GaN层间存在很大的应力。CL测试表明,AlGaNMQWs结构的发光波长为295nm,处于深紫外波段,同时观察到处于蓝光、绿光波段的缺陷发光。 相似文献
9.
随着我国国民经济的不断发展,人民生活水平逐渐提高,对通信技术和系统的要求也在日益提高。在第三代移动通信技术正在酝酿之际,第四代移动通信技术的研究已经悄然展开。本文通过对第四代移动通信技术的特点进行分析,针对第四代移动通信关键技术进行探究。 相似文献
10.