氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响

采用电容结构研究了氟(F,Flourine)掺杂非晶薄膜漏电、击穿以及温度特性。结果表明,氟掺杂钝化了非晶膜中的缺陷和悬挂键,使非晶薄膜漏电降低两个数量级,同时使击穿电压升高。掺杂非晶薄膜的漏电与温度呈指数增长,增长系数为0.0375 K^-1,击穿电压随温度线性减小,系数为0.012 V·K^-1。     

中药配伍辅酶Q10凝胶剂的制备工艺优化研究

制备中药配伍辅酶Q10的凝胶剂并对工艺进行优化探究。以多种中药进行大组方配伍,选择最优配比,采用水煮法和乙醇浸泡提取法制备大组方中药提取物浸膏,运用中药提取物与辅酶Q10结合,以卡波姆凝胶为载体,制成外用中药凝胶剂。空白卡波姆凝胶的最优比例为3%,中药配伍辅酶Q10的凝胶剂中的中药提取物浸膏占比3%,辅酶Q10占比1%,按照配伍进行制备,最后得到产品。结论:本实验制得的中药配伍辅酶Q10的凝胶剂对痤疮疗效较好,质量稳定。     

搭接中心距对电弧增材熔池流动及熔积层形貌影响的数值模拟

搭接中心距对电弧增材搭接熔积的熔池流动及熔积层形貌有重要影响,为探究其影响机理,建立了钨极气体保护焊(Tungsten inert gas welding, TIG)电弧增材成形过程的三维数值模型,研究了不同搭接中心距对熔池流动及熔积层形貌的影响。结果表明：不同搭接中心距下熔池表面温度峰值相近,约为1900 K,表面流速呈非对称的双峰式分布。当搭接中心距小时,由于第一道焊道的支撑作用,使得第二道焊道横截面熔池流动和形貌不对称,熔池深而窄,熔池流动为单向的顺时针环流,左侧流速普遍大于右侧;随着搭接中心距的增大,第一道焊道的支撑作用逐步减弱,使得搭接焊道横截面熔池流动逐渐变为以第二道焊枪中心线为对称轴,左侧顺时针、右侧逆时针的两个环流,两侧流动逐渐对称,搭接熔池宽度逐渐增大、深度逐渐减小,两焊道逐渐分离并出现波谷,当搭接中心距为6 mm时熔积层形貌最平整。模拟与试验结果基本吻合,本研究结果可为电弧增材工艺参数调控提供理论支撑。     

反熔丝型FPGA电路过电应力失效分析

反熔丝电路作为航天领域广泛使用的核心芯片,其失效机理及是否与反熔丝器件相关尤为重要.对某款反熔丝电路电源过应力失效问题进行机理分析,同时通过逻辑分析并配合EMMI、红外等分析手段,对失效点进行物理定位.在此基础上,进一步通过FIB和SEM观察到时钟网络中某NMOS管漏结及布线发生了严重的电迁移,对电源过应力引起NMOS...     

MTM反熔丝单元编程特性研究

主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。     

ONO反熔丝器件寿命预测模型的建立

基于1.0μm ONO(SiO2-Si3N4-SiO2)反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型。研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存在线性关系,证明了ONO反熔丝器件的TDDB寿命预测模型满足"E Model";并基于TDDB可靠性实验数据分析,拟合"E Model"模型中的各个参数,建立了寿命预测模型。同时,通过建立的寿命模型预测不同批次的ONO单元器件寿命,与实测值对比发现,寿命预测模型具有较高的准确性。