活性炭纤维填充床脱除水中苯酚及填充床的再生

采用活性炭纤维吸附法净化水中微量的苯酚。在25℃、30℃和35℃下,实验测定活性炭纤维吸附苯酚的吸附平衡等温线,该吸附等温线符合Langmuir型,最大饱和吸附容量达0．26kg(苯酚)／kg(活性炭纤维)在25℃下;0．25kg(苯酚)／kg(活性炭纤维)在30℃下;0．239kg(苯酚)／kg(活性炭纤维)在35℃下。水溶液的pH值将影响吸附容量,在碱性条件下吸附容量显著下降,这将有利于吸附剂的再生。苯酚在活性炭纤维填充床的穿透曲线被测量,在5％突破点处的动态吸附容量为0．14kg(苯酚)／kg(活性炭纤维)在25℃下。采用40℃、5％NaOH溶液再生被苯酚饱和的活性炭纤维填充床,再生后吸附效率达90％以上。     

氯苯酚在活性炭纤维上吸附平衡的研究

研究了水溶液中氯苯酚在活性炭纤维上的吸附平衡,实验探讨了反应温度、溶液pH值对活性炭纤维吸附平衡的影响。实验结果表明,平衡吸附量随着温度降低而升高;当pH值<7时,平衡吸附量几乎不随溶液的pH值而变化,而当pH值>7时,氯苯酚在活性炭纤维上的平衡吸附量随着pH值的增加而减小,pH值愈大,平衡吸附量减小的愈快。分别采用Langmuir模型和Freundlich模型描述吸附平衡等温线,在实验范围内Langmuir模型与实验数据吻合较好。     

相图绘制中二次曲线拟合的改进

在使用计算机绘制相图的过程中，需要依据实验数据对相图中的曲线进行拟合。本文分析了水盐体系相图中二次曲线拟合的特点，并提出使用修改后的二次拟合方法对相图中曲线进行拟合的方法，在绘制相图中得到了较好的效果。     

酸法制备富镁型镁铝尖晶石催化剂的研究

采用酸法以氧化镁、氧化铝,乙酸,硝酸为原料制备(富镁型)镁铝尖晶石(MgAl_2O_4·xMgO),考察反应时间、煅烧温度、乙酸浓度、镁铝摩尔比(简称镁铝比)对产物转化率的影响,并通过正交试验得到最优工艺条件。研究表明:反应时间为3 h,煅烧温度为700℃,乙酸浓度为5%,镁铝比为1时,反应转化率为85.76%,达到最佳。     

乳状液膜法去除湿法磷酸中Mg(Ⅱ)的研究

采用乳化液膜技术对湿法磷酸进行脱镁净化是一种净化湿法磷酸的新途径。以-(2-乙基己基)磷酸酯为流动载体乳状液膜体系,系统研究了油水体积比(Roi)、膜试剂、增稠剂(石蜡量)、外水相pH值等因素对Mg(Ⅱ)的迁移行为。得出了乳化液膜法去除湿法磷酸中镁离子的最佳工艺条件：表面活性剂：L113A,膜试剂：环己烷;反萃取剂：HCl3mol／L,增稠剂：石蜡量0．5mL。     

含氨基磁性高分子微球的制备与表征

报道了甲基丙烯酸缩水甘油酯-甲基丙烯酸甲酯-二苯乙烯磁性高分子微球的制备与表征。采用共沉淀法制备了磁流体,并进行了双层表面活性剂改性。以改性后的Fe3O4磁流体为核心,通过开环反应、共聚等方法制备了含有氨基的磁性微球。通过扫描电镜观察磁性微球的形貌。微球的热重分析可以表明磁性微球具有较好的热稳定性。红外光谱测试说明微球表面含有氨基基团。X射线对Fe3O4及磁性微球分别表征,证明Fe3O4结构没有变化。     

十六烷基溴化铵有机改性天然钠基膨润土的研究

本论文以吉林省刘房子天然钠基膨润土为原料,十六烷基溴化铵为改性剂对钠基膨润土进行有机改性。以灼失率为指标,获得了制备有机膨润土的最佳条件,反应温度为70℃,反应时间为1h,pH值为9,改性剂用量为阳离子交换容量CEC的150%,并通过X-射线衍射、红外光谱分析手段对有机膨润土的结构进行了表征。     

有助于掌握化工原理内容与实质的讨论题（二）——精馏塔操作型问题

化工原理传质内容中有关精馏单元过程操作问题的讨论无论对消化课程内容还是对实际问题的理解都具有重要意义,通过总结、列表与归纳的方式,把一类问题的理论、机理与现象结合起来,探讨问题变化的出处,有利于掌握过程变化的实质并达到教学目的。     

活性炭纤维吸附法脱除废水中对氯苯酚及吸附剂的再生

采用活性炭纤维 (ACF)处理对氯苯酚 (PCP)模拟废水 ,通过静态和动态吸附研究 ,测定了吸附等温平衡线、动态突破曲线 ,并研究了ACF对PCP的吸附速率。结果表明 ,ACF对PCP的吸附容量较大 ,吸附平衡关系服从Langmuir型吸附等温线 ;吸附速率快 ;吸附达饱和的ACF用NaOH溶液再生 ,解吸速率很快 ,再生后吸附容量基本不变     

SiC纳米线的制备及其发光性能的研究

采用热蒸发法,以SiO与活性碳混合粉末为原料在1400℃的条件下制备出SiC纳米线.通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、能谱仪（EDS）及X-射线衍射分析（XRD）等手段对制备的SiC纳米线进行了表征及生长机理分析.研究表明：SiC纳米线表面光滑、平直,沿[111]方向生长,直径为30～60nm,长约数十微米,内部为约数十纳米的SiC晶体层外部约为2nm的SiO2层的异质机构.SiO作为硅源时的SiC纳米线产量高于其他硅源.最后通过光致发光（PL）光谱研究了SiC纳米线的PL特性.