以物联网技术驱动数字油田建设的思考

物联网自诞生以来,相关产业迅速发展,在现代工业、公共服务、家庭民生等领域全方位渗透发展,成为驱动产业发展、推动传统产业升级的重要动力。石油行业作为传统能源型企业,也急需实现数字化转型以提升生产效率、降低生产成本。作者认为数字油田的实现要素与物联网内在架构高度契合,数字油田建设完全可以搭上物联网的便车,实现跨越式发展,所以用好物联网技术对于促进石油行业转型升级、加快智能化数字油田建设具有重要意义。     

光敏性溶胶-凝胶波导材料

采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶-凝胶,并应用四丙氧基锆作为调节折射率的材料.为了增加薄膜与硅片的粘附作用,先用干氧热氧化法在硅片上生长一层厚度约为150nm的SiO2,然后使用提拉法在硅片上提拉成膜,薄膜厚度达到3.6μm.研究发现紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大.样品的原子力显微镜照片表明薄膜的表面非常平整,在5μm×5μm的范围内表面起伏只有0.657nm.利用波导阵列掩膜版,对制备的薄膜在紫外光波段下曝光,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列.     

影响LDHs改性LDPE膜性能的因素

通过对薄膜力学和光学性能的测试,研究不同载体、不同分散剂、不同粉体及不同粉体含量对薄膜性能的影响,再结合其对纳米粉体在聚合物中分散效果的影响,寻找合适的配方与工艺条件,研制出性能优越的薄膜.     

高压采气井口装置的研制

随着我国经济的高速发展,对天然气的需求量不断增加,相关技术和装备升级换代速度非常快,产业升级换代的速度非常快。在实际钻井开采的过程中,井口的压力往往很大,如果操作不当,很容易造成井口装备被冲蚀情况的出现,给周围环境造成非常大的危害。为此,对高压采气井口装置进行探析,希望对促进我国采气事业的发展,可以起到有利的作用。     

剪切闸板防喷器随动式増力缸装置

闸板防喷器是井控装置的关键部分,当处于紧急情况时,可用剪切闸板剪断井内管柱,并全封闭井口.近几年来,随着越来越多的国内钻井队伍走向国际市场、国内钻探亦不断向深井、超深井发展,钻井作业中所使用的钻具级别越来越高,提高剪切闸板防喷器增力缸装置剪切性能的可靠性,延长防喷器的整机使用寿命,减少防喷器零件的损坏率尤为重要.河北华...     

42CrMoA钢热变形过程动态再结晶行为

目的 通过Deform-3D软件模拟42CrMoA钢的热压缩过程,研究在压缩量为60%、变形温度为950~ 1 100 ℃和应变速率为0.01~10 s⁻¹条件下42CrMoA钢再结晶模型的可靠性。方法 将热压缩试样沿轴线对半分开,以试样中心和边部位置作为金相观察区,分析42CrMoA钢的热变形行为,将计算得到的动态再结晶临界模型输入Deform-3D软件的前处理模块中,模拟过程的变形参数与实验过程的相同,通过在模拟试样的心部和边部位置进行点追踪,实现模拟结果和实验结果中组织的对比分析。结果 在压缩过程中42CrMoA钢真应力的变化受加工硬化和动态软化协同作用影响。随着温度的升高,试样心部和边部的再结晶体积分数均有所上升,且试样心部动态再结晶体积分数大于边部的。模拟结果显示,当温度由1 000 ℃升高至1 100 ℃时,试样心部动态再结晶体积分数由75.6%升高至89.5%,在相同条件下,通过金相观察到试样心部的动态再结晶体积分数由73.2%升高至85.3%。结论 基于Johnson-Mehl-Avrami模型改进的Yada再结晶模型可以较好地描述42CrMoA钢的动态再结晶过程,实验结果与模拟结果间的相对误差小于8.35%,验证了动态再结晶模型的准确性。     

用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析

用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2 膜满足低损耗光波导器件的要求     

基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.     

基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.     

一种新型温度不敏感阵列波导光栅的设计

提出了一种新型结构的阵列波导光栅。在AWG的阵列波导中嵌入多种补偿介质,补偿二阶或二阶以上温度偏移。首先从理论上推导出器件的工作原理表达式;其次给出了器件结构的设计方案,阵列波导采用同心圆结构设计,使得嵌入介质与波导垂直,有效减小了散射损耗,并显著提高了芯片的集成度。最后,对器件性能进行了评估,引入的附加损耗小于1dB;理论上实现了零温度偏移。