相对分子质量调节剂在PP熔体微分静电纺丝中的纤维细化作用

利用自制熔体微分静电纺丝装置,添加相对分子质量调节剂CR76,进行聚丙烯(PP)熔体微分静电纺丝,讨论了CR76含量及纺丝温度对PP熔体黏度及纤维直径的影响。结果表明:在200~280℃加工温度下,添加质量分数2%~10%CR76的PP熔体黏度降低到纯PP的25%以下;提高CR76含量与纺丝温度有助于PP纤维直径细化;添加质量分数10%CR76,纺丝温度280℃,制备的PP纤维直径大都小于1μm,平均直径可达970 nm。     

聚酰胺6／凹凸棒土纳米复合材料的制备与性能

采用双螺杆挤出机将凹凸棒土与聚酰胺6共混，制备聚酰胺6／凹凸棒土纳米复合材料，考察了凹凸棒土活化前后对聚酰胺6力学性能、微观形态、结晶行为的影响，结果表明：凹凸棒土以纳米尺寸分散于复合材料中；凹凸棒土的加入，可以促进聚酰胺6结晶；与未经硅烷偶联剂活化的凹凸棒土相比，活化后凹凸棒土的加入，可以提高复合材料的拉伸强度、冲击强度，经过硅烷偶联剂处理的凹凸棒土可以用于改性聚酰胺6。     

致密油藏液测应力敏感特征及微观作用机理

以鄂尔多斯盆地长7致密油藏岩心(K<0.1 m D)为研究对象,采用煤油和氮气作为实验流体,开展了应力敏感实验,结合铸体薄片、扫描电镜和恒速压汞实验结果,分析了致密油藏应力敏感特征的微观作用机理。从实验结果发现,致密油藏孔喉越细微,铁方解石胶结和石英加大作用越强烈,对孔喉的支撑作用越明显,因此液测应力敏感渗透率损失程度随着岩心渗透率的降低先增大后减小,但是恢复程度一直减小,最终出现完全不恢复的现象。同时,由于边界层的作用导致液体的临界孔喉半径远大于气体,而临界孔喉的影响导致液测应力敏感的渗透率损失程度和恢复程度与气测的差异随着渗透率的降低而增大。本文实验结果可为致密油藏产能预测及开发策略制定提供依据。     

粗硫酸镍溶液直接萃取镍的工艺研究

使用新型萃取剂HBL110从粗硫酸镍溶液中直接萃取镍。结果表明,萃取的较优条件为：萃取剂皂化率60%、萃取相比V_O：V_A=2：1、料液起始pH=2.2、萃取时间5 min,经5级逆流萃取,镍萃取率为98.63%,铁、钴、锌、钙、镁的萃取分别为10.41%、22.86%、8.42%、1.75%、1.38%。有机相经酸洗后反萃,反萃的较优条件为：反萃剂H₂SO₄浓度1.0 mol/L、反萃相比V_O：V_A=4：1、反萃时间5 min,该条件下进行4级逆流反萃,镍的反萃率为98.85%,反萃液镍浓度为31.11 g/L,且反萃液杂质含量低。     

磁性橡胶在直流永磁风扇电机中的应用

本文简述了磁性橡胶在直流风扇电机中的应用和橡胶磁钢的加工工艺     

铜锰渣酸浸及选择性硫化沉淀法回收铜工艺

系统开展了铜锰渣的H2SO4浸出及酸浸液Na2S2O3选择性沉铜研究,通过单因素实验,分别探究了2个工艺过程的影响因素.实验结果表明:铜锰渣酸浸的较优条件为:H2SO4用量200 g/L,液固体积质量比(mL/g)7:1,反应温度80℃,反应时间2 h,该条件下铜、钴、锌、锰的浸出率分别为99.81％,99.54％,9...     

我国聚苯硫醚市场概况及发展趋势

编者按:该文详细介绍了目前中国聚苯硫醚(PPS)的生产情况和各领域的消费情况,分析了PPS材料与其他不同材料之间的竞争关系,并预测了未来PPS在中国的发展趋势.     

沉淀-转化法制备纤维状复杂草酸镍盐

以六水合硫酸镍为原料、两水合草酸为沉淀剂制备了草酸镍沉淀，再以乙二胺为配位剂配位转化草酸镍，合成了纤维状复杂草酸镍盐前驱体粉末。利用X射线衍射分析、扫描电子显微镜观察、傅里叶变换红外光谱分析及热重-差热分析表征了前驱体物相组成及显微形貌，讨论了制备工艺参数对前驱体尺寸及形貌的影响，并得出了最佳工艺参数。结果表明，沉淀-转化法制备的镍盐前驱体结构中含有乙二胺成分，其晶体形貌呈纤维状，组成分布均匀。最佳工艺参数为正加料方式，初始pH 7.5,Ni²⁺浓度0.6 mol·L^-1，反应温度65℃，表面活性剂(PVP)0.4 g，在此条件下可制得分散性良好的纤维状复杂草酸镍盐前驱体，其最高长径比可达55。     

无源互调产生的物理机制

随着无线通信和卫星通信技术的迅速发展,无源互调（PIM）对通信系统的干扰越来越显著。该文主要介绍了PIM产生的非线性物理机制（包括接触非线性和材料非线性）。接触非线性主要来源于接触中的隧穿效应、热电子发射等,并受到接触表面粗糙度、接触间机械应力与对称性等因素的影响。材料非线性主要来源于材料中的热电耦合和非线性源散射效应,其几何结构与点状污染等因素也会对PIM产生影响。未来,PIM底层物理机理的研究需求更加迫切,需要深入到微观领域,并且与多物理场建模与分析技术相融合,才能深入全面地揭示无源互调机理,进而指导无源互调抑制的相关设计。