旋涂热解结合快速退火制备SnS薄膜及表征

使用一种简单的旋涂热解法结合快速退火,在空气中以载玻片玻璃和FTO为衬底,在热解温度分别为280、320、360℃的条件下制备了一系列具有高化学计量比的硫化亚锡薄膜,并采用元素分析、X射线衍射分析、拉曼光谱分析、场发射扫描电镜分析、紫外可见近红外分析等表征方法,对以上温度所制备硫化亚锡薄膜的Sn/S原子比、薄膜晶相、表面和断面形貌、紫外光区至近红外光区的光吸收做了系统研究。结果表明,在320℃的热解温度和10 min的热解时间条件下,获得的硫化亚锡薄膜中Sn/S的原子比达到1/0.99,直接禁带宽度达到1.46 e V,与太阳能电池吸收层1.50 e V的最佳禁带宽度非常接近。使用该法制备的高化学计量比的硫化亚锡薄膜,在太阳能电池吸收层材料领域具有重要的潜在应用价值。