应变速率对SiC拉伸行为影响的分子动力学模拟（英文）

采用分子动力学方法对Si C单晶应变率敏感性及其失效机理进行了研究。模拟了室温下不同应变速率对立方Si C单晶[001]方向的拉伸行为的影响。当应变速率在0.01~10 ps~(–1)时,拉伸强度随应变速率的提高而增加。拉伸过程中Si C晶体发生非晶转变导致强度提高。当应变率低于0.01 ps~(–1)时,晶体在(111)面上发生破坏,强度趋于71.4 GPa。应变率大于10 ps~(–1)时,晶体强度达到243 GPa,并未发生非晶转变。     

ZrB_2晶体基态性能的第一性原理计算（英文）

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法计算了Zr B_2晶体的晶格常数、电子结构、弹性常数以及Debye温度。计算结果表明,采用广义梯度近似交换关联势与超软赝势得到的Zr B_2晶格常数分别为a=0.316 81 nm和c=0.353 53 nm,与实验值相对误差仅为0.058%。B原子的2p轨道与Zr原子的4d轨道上的共价电子杂化是其产生"赝带隙"的主要原因。Mulliken布居分析表明,Zr原子有部分电子转移到B原子周围,产生了一定的离子键。为了研究应变幅对弹性常数计算结果的影响,采用了4种不同的应变幅,通过预设应力–应变法计算的Zr B_2单晶的弹性模量矩阵,结果与实验值一致。通过弹性常数计算得到的Debye温度为927 K,也与实验值910 K吻合。