BaTiO3系陶瓷电压非线性特性研究

对ＢａＴｉＯ３－ＢａＺｒＯ３,ＢａＴｉＯ３－ＢａＳｎＯ３,ＢａＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３非线性陶瓷材料的介电性能（ε,ｔａｎδ）与外ＢａＺｒ０．１３Ｔｉ０．８７Ｏ３,ＢａＳｎ０．０６Ｔｉ０．９４Ｏ３在直流偏压下ε可变化１．５￣２．７倍;在交流电压下ε可变化２￣２．５倍,且具肮介电常数、较高抗电强度,可用作开关电源ＲＣＤ保护电路的非线性陶瓷电容器和荧光灯无触点起辉器材料,Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３在直流偏     

B位离子共沉-煅烧法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3微波陶瓷材料

采用钽镁共沉淀法制备ＭｇＴａ２Ｏ６粉体,然后与ＢａＣＯ粉体混合制备Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３（简称ＢＭＴ）微波陶瓷材料,成功地解决了ＴａＣｌ３溶解问题。对钽镁共沉条件和粉体热分解工艺与粉体的平均粒径和钽镁比例关系;ＢＭＴ陶瓷制备工艺与材料的微观结构和微波性能关系进行了研究,制备的ＭｇＴａ２Ｏ６晶相粉体平均粒径为０．３μｍ,最大与最小粒径比为５。制备的ＢＭＴ陶瓷的几乎不含ＢａＴａ２Ｏ６等杂相,