高压电极铝箔腐蚀孔洞模型的探讨

利用SEM、TEM观测了高压腐蚀铝箔表面和横截面的形貌,介绍了3种高压电极铝箔的腐蚀孔洞模型:圆孔、方孔、条状凹槽;通过对当前市场上国内、日本的高压高比容电极箔腐蚀孔洞的实际形貌特征进行对比分析,发现:具有实际意义的理想腐蚀孔洞应当具有介于条状凹槽和圆孔之间的形状;通过改进电蚀技术来提高高压电子铝箔的比电容还有相当大的空间;在电蚀过程中抑制簇状并孔发生并促进线状并孔发生以使得腐蚀孔洞呈现条状沟槽形状是今后高压电极箔制造技术的改进与发展方向之一。     

超级电容器集流体用铝箔交流腐蚀研究

对48微米铝箔集流体在50 Hz交流电腐蚀下进行正交试验的研究,包括因子盐酸、铝离子、硫酸及温度等条件,发现了取得比容的最佳条件是各个因素的相互作用.讨论了在低电量时,高浓度的盐酸更趋向于形成发孔密度大、孔洞大小均一的腐蚀孔,而失重效率反而低于2N盐酸,可能是因为高浓度盐酸在交流电解负半周的沉积膜保护作用而导致.SEM分析显示备我们所制备的样品表面形貌抛光图与日本进口集流体形貌极为相似.     

磷酸处理对低压阳极铝箔及其电容器特性影响

本文研究磷酸处理工艺对低压阳极铝箔及其所制备电容器特性影响。结果表明,磷酸处理强弱对低压铝箔耐酸性、耐水合性、比容有着重要的影响,并且对制备的低压固态铝电解电容器的耐压、容量、漏电流、损耗等产生重要的影响。通过优化磷酸处理工艺,明显改善低压箔的耐酸性和耐水合性、降低固态电容器漏电流,降低电容器容量衰减率,提高低压固态电容器寿命。     

二水硫酸钙晶体生长对附着水含量的研究

液相法酸碱反应生成石膏过程中,如果结晶过程控制不当,得到针状或小片状的较小不理想的晶体,会影响到石膏的过滤。结晶的质量会影响到整个的生产工艺。文章综述了二水硫酸钙结晶过程的研究进展,从硫酸浓度、搅拌强度、温度、添加剂等方面介绍了外部条件对硫酸钙结晶的影响,以达到对二水硫酸钙结晶的各种技术有一种比较客观综合的理解和认识。     

宽带互联网推动报警发展进入新时代

短短几年,ADSL、光纤以太网以及有线网三种主要的宽带传输方式迅速普及,互联网的接入速率从64K提升到10M以上,从间断拨号上网到不间断高速连接,中国真正迎来了互联网时代。本文将就宽带互联网推动报警联网方式的发展进行详细阐述,与业内人士共享。     

铝箔腐蚀阳极氧化前处理SEM分析

为了对多孔阳极氧化铝孔洞尺寸的可控制备,分别对磷酸和草酸作为电解液进行阳极氧化研究。发现磷酸只需经一步氧化可以制备出高度有序的多孔氧化铝膜,孔洞在电压160 V时可达到300 nm,130 V时的孔洞约150 nm。经铬酸钾和磷酸混合液处理氧化膜后,可观察到阻挡层上分布的六角形结构。而草酸经两步阳极氧化后形成的孔洞很小,只有数十纳米,经扩孔后孔洞可达100 nm。     

200微米DC腐蚀铝箔极限长度的研究

为了探讨电子铝箔经直流电腐蚀后形成隧道孔的生长机理,进一步提高电子铝箔的腐蚀工艺水平,研究了200微米HEC光箔的极限长度在硫酸浓度、温度、二级腐蚀等条件下的影响。发现只改变一级硫酸浓度而不经过二级腐蚀,隧道孔的极限生长有限,不能贯穿整个夹芯层,这可能是光箔成分和立方织构影响蚀孔的生长方向。在不添加硫酸的条件下温度对极限长度的影响非常小,低于70℃下甚至不生长隧道孔,所形成的夹芯层非常厚。而经过0.8 mol/L游离酸的二级腐蚀,隧道孔径向生长可以贯穿整个夹芯层。     

铝箔腐蚀盐酸扩孔二次发孔的研究

在不同扩孔电流密度下制备腐蚀箔,通过失重量、比容以及扫描电镜方法对样品进行了表征,重点探讨了扩孔电流密度对所制备的腐蚀箔比容、孔洞数量的影响。结果表明:当扩孔电流密度≤0.1 A/cm2时,二级扩孔没有出现二次发孔的情况。随着电流密度的降低,比容逐渐增加。     

免模板法制备锐钛型TiO2空心球

以草酸钛钾为钛源,利用一步免模板法在水热条件下制备出二氧化钛空心球,其形成机理建立在由里及外的“Ostwald ripening”理论上.在不同的反应时间下研究了二氧化钛从亚稳相逐渐向稳定相的锐钛型二氧化钛空心球转变的过程.结合SEM的观察发现二氧化钛由光滑的固态粒子逐渐转变为表面为纳米棒状的二氧化钛空心球,TEM证实了所制备的空心球的直径约为1微米,单晶衍射图案（SAED）表明棒状晶体沿[001]面生长.