相界势垒对高B值高电导率NTC热敏材料电特性的影响

在高Ｂ值，高电导率的ＮＴＣ热敏材料中，Ｘ－ｒａｙ衍射，ＸＰＳ分析表明有三相：ＮｉＭ２Ｏ４，ＣｕＭｎ２Ｏ４和Ｍｎ３Ｏ４组成。三相之间比例的相对变化对共电导率有较大影响，Ｂ值的变化主要来自相界势垒的贡献。     

钛酸钡基铁电材料的介电非线性研究

通过A位或B位掺杂改性得到的钛酸钡基铁电材料,在外加直流偏置电场作用下,具有介电常数非线性可调的优异介电性能,可以广泛地应用于压控可调陶瓷电容器和微波可调器件领域。针对钛酸钡基铁电材料的介电非线性特性,讨论了BaTiO_3基铁电材料分别在铁电相、顺电相以及相转变温度场附近的介电非线性机理和相关理论;结合笔者近年来有关介电非线性研究的实验结果和相关文献报道,综述了不同A位离子(如Sr~(2-)和Ca~(2-)等)或B位离子(如Zr~(4 )和Sn~(4-)等)掺杂的BaTiO_3基铁电材料体系的介电非线性研究现状,分别对不同物质形态(陶瓷块体、薄膜和厚膜)的BaTiO_3基铁电材料的介电非线性研究及其应用进行了对比分析;并对钛酸钡基铁电材料今后的发展趋势和研究方向进行了展望。     

环保型纳米彩色薄膜的性能研究

通过溶胶-凝胶法制备掺杂有不同生物染色剂的SiO2彩色溶胶,将其涂履于普通玻璃表面,制成了均匀透明、色泽丰富的环保型彩色玻璃.研究表明,不同生物染色剂制得的彩色薄膜的性能有所区别,其中蓝色薄膜的实际耐用性(包括耐磨擦、耐腐蚀和抗紫外线功能)最好,达到了室内玻璃制品的性能要求.     

CdS微晶掺杂TiO2—SiO2复合薄膜的非线性光学特性

采用溶胶－凝胶方法在普通的载玻片上制备了ＣｄＳ微晶掺杂的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料，比较了硫脲和硫化乙氨的硫化作用。不同热处理温度、时间的吸收光谱表明，薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Ｚ－Ｓｃａｎ技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率。     

铌酸钠基无铅陶瓷的弛豫反铁电相构筑与储能特性优化

开发具有优异综合储能特性的无铅陶瓷电容器是脉冲功率技术领域的迫切需求。相较于其他无铅储能陶瓷体系,Na Nb O₃(NN)陶瓷具有结构相变丰富、理论密度低、电学可调性强、轻量化发展潜力大等显著优点,因而备受关注,成为当前的研究热点。基于降低容忍因子稳定反铁电相和增强陶瓷弛豫性的策略,开展了NN基弛豫反铁电陶瓷的制备与储能特性研究。通过引入BiFeO₃和Sr(Ti_0.85Zr_0.15)O₃成功制备了0.9[0.9NaNbO₃-0.1BiFeO₃]-0.1Sr(Ti_0.85Zr_0.15)O₃陶瓷,相较于纯NN陶瓷(0.14 J/cm³、6.39%)和0.9NaNbO₃-0.1BiFeO₃陶瓷(3.55 J/cm³和70.61%),其储能特性显著提升,储能密度(W_rec     

溶胶-凝胶法制备TiO2-SiO2复合薄膜的波导特性研究

研究了采用溶胶－凝胶法制备的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜的波导特性。结果表明随着ＴｉＯ２含量和热处理温度的提高,薄膜的波导损耗增大。ＦＴ－ＩＲ光谱,ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明：这种损耗主要来自于薄膜中的微区不均匀和由于薄膜表面的粗糙度增大而产生的光散射的影响。通过航向光谱计算得到了薄膜的折射率和消光系数和色散关系以及它们与工艺之间的关系。     

高度取向ZnO薄膜的介电和光波导特性研究

用溶胶凝胶法在不同的基片上制备了具有高度 ｃ 轴即（００２）取向的 Ｚｎ Ｏ 薄膜,研究了溶剂、稳定剂等对合成的先体溶液的影响。对薄膜的 Ｘ Ｒ Ｄ 分析表明随热处理温度的增加,ｃ 轴取向度增大,并且薄膜的晶粒尺寸在 ３００ ° Ｃ～５００ ° Ｃ 范围内增幅较大。用端面耦合的方法测量了制备在 Ｓｉ Ｏ２／ Ｓｉ（１１１）基片上薄膜的波导损耗,即随热处理温度的增加,波导损耗增大,主要来源于 Ｚｎ Ｏ 薄膜与 Ｓｉ Ｏ２ 的界面及晶粒的散射。制备在 Ｐｔ／ Ｓｉ Ｏ２／ Ｓｉ（１１１）基片上薄膜的相对介电常数为 ７～１３,电阻率则为 １．７×１０４ Ω·ｃｍ ～９．８×１０５ Ω·ｃｍ 。     

溶胶-凝胶法制备Ge/SiO2微晶复合薄膜

采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备了ＧｅＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜,并用Ｈ２／Ｎ２还原使得ＧｅＯ２转变成Ｇｅ微晶而镶嵌在ＳｉＯ２的玻璃网格中,其平均晶粒尺寸小于４ｎｍ 。随着热处理时间的增加,２４０ｎｍ 处吸收峰的强度随之增大,并且其吸收边产生红移,说明Ｇｅ 微晶的含量及晶粒尺寸都在增大     

sol-gel法制备锆钛酸钡薄膜的研究

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构。采用er、tgd的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能。经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;200103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%。