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MBM2147型是一种N沟MOS4096位静态随机存取存储器。它与工业标准2147系列相容,其输入电瓶和输出电瓶与TTL系列相容。该存储器仅需要一个5伏的单一直流电源。MBM2147H的最大存取时间是55毫微秒,MBM2147E最大存取时间为70毫微秒。这种存储器系列封装于一个18条引线的双列直播式管壳中,而且具有 相似文献
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前言 目前的LSI是在二维平面内制作的,由于微细加工技术的进展,大大地促进了高密度、高集成度、高速化大规模集成电路的进一步发展,可以预言,也许将来总有一天会达到各种技术的极限。因此,作为跨越二维大规模集成电路的极限,对在立体垂直方向上集成电路的三维LSI进行了考虑。 相似文献
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气体纯度仍然被认为是一个主要的工艺变量;只是在目前通过一种新的纯化方法的实际采用,使得使用点气体纯化处理得到了广泛认可。 相似文献
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本文提出测定纯铜中锌的快速分析方法。在1.2N盐酸介质中用高分子胺萃取,硝酸钾-碘化钾混合液反萃取后硫氰酸盐-结晶紫光度法测定锌。可在25分钟内完成一个试样分析。 相似文献
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采用2维瞬态数字模拟器和电路代码,模拟了经受140MeV氪轰击的桑迪亚SRAM的SRAM单元的恢复时间,研究了在n~-和p~-沟道截止状态时对漏进行的轰击,得到了4个重要结果:轰击后的恢复时间与再生晶体管的驱动力密切相关,被轰击的截止态p~-沟漏-栅电容耦合将对带有反馈电阻的SRAM的恢复时间产生明显影响,恢复时间在直到0.4pC/μ的LET范围内与LET大致成线性关系,最后,在无反馈电阻器的桑迪亚SRAM内观察到了实验性的n~-沟单击事件扰动(SEU)。 相似文献
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