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为提高MoSi2的低温抗氧化能力,采用直接预氧化法制备了核壳结构MoSi2@SiO2粉体,研究了适宜的预氧化条件及MoSi2@SiO2的结构和低温抗氧化性能.结果表明:经过800℃预氧化处理1 h可以得到原位包覆核壳结构MoSi2@SiO2粉体,SiO2壳层的形成是基于MoSi2的非选择性氧化以及氧化产物MoO3的挥发...  相似文献   
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