n-ZnO／p-GaN异质结界面工程

宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性。ZnO在高自由激子结合能（60meV）、适于湿法刻蚀以及对环境友好等方面具有优势，在短波长低阈值发光二极管（LED）以及激光二极管等方面具有广阔的应用前景。但ZnO在稳定的P型掺杂方面遇到很大的挑战，高亮度ZnO同质结型发光二极管的制作具有很大的难度。     

纤维锌矿薄膜中30度旋转畴的TEM研究

由于具有纤维锌矿结构的ZnO和CaN在宽禁带半导体方面存在很大的应用潜力，国际上很多研究组已经将在不同条件下生长的ZnO和GaN薄膜的微结构进行了研究。在众多试验中他们发现存在30度畴这种缺陷。直到现在没有人对这个缺陷进行仔细的研究。这里我们使用了截面和平面两个样品应用透射电子显微镜进行了表征。     

LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长

利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.     

LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长

利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.     

不同降温方式对单晶石墨烯氢气刻蚀的改善

以化学气相沉积（CVD）的方法在铜衬底上制备了大尺寸的单晶石墨烯。研究了在3种不同降温方式下，石墨烯受氢气刻蚀程度的变化，以及在降温过程中通入甲烷后，对刻蚀的影响与改善，并对刻蚀机理进行了探讨。结果表明：经开盖降温的石墨烯受刻蚀最轻，随炉降温的样品受刻蚀次之，缓慢降温的样品受刻蚀最为严重。在降温过程中通入甲烷之后，3种样品的刻蚀都得到了进一步的改善，且开盖降温样品的结晶质量有大幅提升；随炉降温样品的结晶质量有小幅提升；缓慢降温样品的结晶质量有所下降。     

叶尖抗冲蚀涂层的研究进展

从叶尖工况及损伤机理、涂层结构、研究现状、制备工艺等4个方面,综述了近年来国内外学者对于叶尖抗冲蚀涂层技术的研究进展.首先,介绍了压气机叶尖的实际工况及砂尘冲蚀损伤机理,如低入射角的微切削理论和高入射角的二次冲蚀理论.其次,着重强调了抗冲蚀涂层的硬韧匹配、材料与结构设计.对纳米多层结构、纳米复合结构和单相固溶体结构的微观结构进行了深入阐述,对其非本征强韧化机制和结构设计准则进行了详细归纳.随后,介绍了抗冲蚀领域的最新研究进展.最后,深入对比了4种国际主流的离子束沉积技术在涂层微结构设计、成分调控等方面的技术特点.发现磁过滤阴极真空弧技术在制备叶尖抗冲蚀涂层方面具有传统涂层制备技术不可替代的优势.本着优化涂层性能和促进实践应用的目的,对磁过滤阴极真空弧技术精细定制化制备的叶尖抗冲蚀涂层的应用前景及工业化生产进行了展望,为该技术在叶尖防护领域的推广提供参考.     

利用FCVA法和CO2、N2制备Ti(C,O,N)纳米复合薄膜的研究

使用CO2和N2利用磁过滤阴极弧法（FCVA）在Si（100）和304不锈钢上沉积Ti(C,N,O)薄膜。采用XPS, XRD, Raman, SEM, 摩擦磨损试验机,电化学实验站检测得出气体流速对薄膜成分、相结构和薄膜性能的作用。当混合气体流量从10sccm升高的50sccm时,薄膜中的C和N含量有明显增加,而O和Ti含量有小幅下降;当混合气体流量从50sccm升高到80sccm时,薄膜中的C和N含量下降,而Ti含量有小幅上升,O含量急剧上升。薄膜由nc-Ti(C,N,O)纳米晶结构,转变为nc-Ti(C,N,O)/a-CNx,a-TiO2/a-CNx,N-doped a-TiO2/a-C纳米复合结构。N-doped a-TiO2/a-C纳米复合结构薄膜具有最低的摩擦系数（0.34）,nc-Ti(C,N,O)/a-CNx,N-doped a-TiO2/a-C纳米复合结构薄膜在Hanks溶液中均表现出良好的抗腐蚀能力。     

LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长

利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30. 旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜，讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性